开关器件控制极（开关控制器工作原理）

发布时间：2023-05-18

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可以使用，但是可控硅的厚度会影响其特性，因此在使用时应注意其厚度的影响。

双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A第二阳极A2电流减小，小于维持电流或AA2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。

可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极中、控制极G三个引脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引脚。

去掉触发电压后，电流过零肯定就要关断；一直加触发电压时，电流过零后也会关断，在反向电压的作用下、很快又会因重新触发而反向导通。

阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。

1、在开关管S导通时，二极管VD负极电压高于正极反偏截止，此时电流经过电感L向电容和负载供电，同时电感L中储存了能量。

2、场效应管的三个电极相当于三级管的三个电极，G是控制极，相当于三级管的B极，电压控制DS的导通率（三极管是电流控制型，B极控制CE的导通能力）D级是漏极，相当于三级管的集电极，S是源级，相当于三级管的发射级。

3、栅极控制开关，源极载流子流入，漏极载流子流出。nmos管载流子是电子，所以一般源极接低电压，漏极接高电压。pmos管载流子是空穴，所以一般源极接高电压，漏极接低电压。

4、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

5、区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。

6、得到较高的直流电压。升压开关电源——把直流电通过开关电路，提高输出电压，给负载供电。开关稳压电源——把直流电通过开关震荡电路，再储能线圈里得到不同的输出电压，通过负反馈电路对输出电压的稳定性调整。

1、我是这样理解的：开关管是由控制基级的电压来控制其开与关的，让其处于不断地开关状态而振荡。振荡频率（也就是开、关的转换频率）决定于基级电压的变化速度，在打开电路时，都会给基级一个电压使开关管进入第一次导通。

2、N60C是N沟道MOS场效应管，参数为：漏极电流5A；D-S耐压600V。常用于开关电源中作开关管。电动车充电器也是用开关电源的，该管估计也是充电器的开关管。

3、场效应管是压控器件，经常用做电力电子开关（不知道你学没学电力电子）他的工作原理和三极管基本一样，不过三极管分的是漏极D 栅极G 源极S就相当于三极管的集电极C 基极B 发射集E 他们一一对应的。

双向可控硅有两个主电极T1和T2，一个门极G，门极使器件在主电极的正反两个方向均可触发导通，所以双向可控硅在第1和第3象限有对称的伏安特性。双向可控硅门极加正、负触发脉冲都能使管子触发导通，因此有四种触发方式。

对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。

你可以将可控硅想象成三极管，控制极对应三极管的基极，阴极对应三极管的发射极，阳极对应三极管的集电极。这样你就明白基本的控制原理。从理论上说，可控硅只要触发一次，就可以导通，直到被控电源方向变化才关断。

开关器件控制极（开关控制器工作原理）