mos管选型3.3v（mos管选型网站）

发布时间：2023-07-25

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要注意，MOS大功率开关的栅极电压要足够高才行一般在5V左右可认为MOS饱和导通，参看IRF3205参数。栅极当然也不能太高，不能超过20V。

单片机输出PWM，改变其占空比来控制MOS管的导通角，从而改变灯的亮度。占空比位1和0，灯就是开或者灭。当然控制电路部分要与工作电路部分需加光耦隔离。

你好：你的单片机的IO是开漏输出的，因此你加的R26这个上拉电阻，但R26取值100K有点大，把R26减小如改为10K看看，如果还高就再减小。

两图高速都不理想，上图开通70n03的速度太慢，下图关断7n03的速度太慢。

mos管选型3.3v（mos管选型网站）

选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

MOS导通后就是一个阻值很小的电阻，这个电阻叫Rds_on，即D、S间的电阻；流过MOS管D、S极的电流就会发热，P=i*i*Rds_on Rds_on与导通电压Vgs有关，Vgs越小（大于导通阈值电压5~6V），Rds_on越大。

1、我的附图中的MOS管是复合管，LNQ_CTL是单片机可以直接控制的；其他的就不用我说了吧；但是你要是用普通的mos管，则需要添加辅助驱动电路了，但是基本的原理是一样。

2、用光耦隔离器（如PC817），输出侧再经三极管（根据电流、Vceo选择，如TIP127）或MOS管放大驱动电磁阀。如果不用光耦，注意Vcbo，但会有烧坏单片机IO的隐患。

3、不知道你的电路可否有5V以上其他电源？如果没有的话，只用3V是不可靠的，MOS管可能因为处于放大状态而导致电机速度不够，也容易烧MOS管。如用24V做驱动，MOS管栅极可接5V左右的稳压管以防过压。

4、用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。直接可以连接，简单方便。

5、首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。

6、v单片机的输出口接口高电平，当负载电流小于10uA时输出电压为5V，当负载电流300uA时输出电压为75V。因此如果要用IO口直接驱动IRF540N，需保证IO口负载电流在10uA以下才符合工程设计的需求。

MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为1V~4V，标称3V；7V的锂电池，饱和是2V，选择3V工作的单片机，足够驱动了。

单片机可以用STM32，如果成本要求高，其实用51也够。需要外围电路，比如灯缓慢亮，用PWM驱动MOS管给灯供电。其他开关可以用继电器。拉动窗帘需要控制电机。直流步进都行，需要驱动器。

应该不是MOS管发出的声音，可能是电容发出的声音。

响应速度比较快，使用PID的话，响应速度比较慢，导致较大的电流波动，也加重了单片机的负荷，因为经常运行极慢的浮点数。而硬件的PID，则可以考虑其1或2，不必P，I，D都考虑，否则电路设计起来很麻烦，难调试。