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硅二极管的正向压降（硅二极管的正向压降范围）

发布时间：2023-07-25
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本文目录一览：

硅二极管的正向压降是一定的吗?

普通硅二极管的正向压降典型值一般认为是0.7V。

一般说硅二极管的正向导通压降是0.7，锗二极管的导通压降为0.3，是个大概范围，还跟流过电流大小有关，一般硅在不到0.6伏就开始导通，电流增大导通压降会变大，大电流整流管的压降也会超过1V。包括三极管的PN结也是一样。

硅二极管正向压降0.7V，锗二极管正向压降0.3V，这是由半导体材料与结构决定的。二极管的管压降就其本质而言还是一个电阻，只是导通的时候电阻很小，不导通的时候接近无穷大，而导通时候的电阻会分担一定的电压，所以叫管压降。

理想二极管的导通正向压降是多少?

理想二极管正向导通时其降压为：硅材料二极管的压降0.7 V；锗材料二极管为0.3 V。

硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。

.6V左右；微安级，试验测量结果在20- 300微安之间。硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。

硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺：硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。

在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。

二极管的正向导通压降

1、硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺：硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。

2、硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。

3、二极管的压降主要是指导通压降，二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。

4、正向压降是指在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。导通后二极管两端的电压基本上保持不变，称为二极管的正向压降。二极管电压降是电流从阳极流向阴极的结果。

发光二极管的正向电压降到底是多少呢?

硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺：硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。

发光二极管的发光颜色不同，其电压降就不同。大致在8V~4V之间。

LED发光时的正向压降约2V左右，不同型号有所差异。其实你更该关注LED的电流，因为LED的发光强度是随电流变化的，电压变化不大。

一个硅二极管可以产生多少电压降?

1、硅二极管的起始导通电压通常是0.6~0.7V，但其伏安特性曲线并不是完全与Y轴平行的，而是有一个向右倾斜的斜率（如图），即是说正向压降会随工作电流增大而增大。

2、硅二极管的正向压降是0.5-0.7V左右，视不同型号压降稍有差异。发光二极管（LED）的正向压降因型号不同差别较大。大致情况是：作为指示灯的LED多在7-9V，作为照明用的LED多为9-4V左右。

3、有两种二极管，一种是锗管，正向压降为0.3伏，一种是硅管，正向压降为0.7伏。

4、小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。

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