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MOS场效应管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），帆槐碰属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子明键，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而态谈“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
还有一种MOS晶体管，叫做MOS栅极控制晶闸管，是一种新型MOS与双极复合型器件。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS器件，通过MOS器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。 不知道是不是你要的？
由NMOS和PMOS两种管子组成电路可称为互补MOS电路，即CMOS电路。
CMOS集成电路采用耐型场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，搏段电路静态功昌银猜耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。
MOS互补电路，即为CMOS（Complementary Mos),其特点是在肢坦一块p衬底上嵌入N阱，进而可以使得NMOS和PMOS做到一起，减少面积。相对于单开关液袜管电路而言，CMOS电路有较大的噪声容限，其逻辑摆幅大,电路历埋桐抗干扰能力强，静态功耗也比较低。
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