mos管esd保护（mos管 eas）

发布时间：2023-07-25

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MOST-莫特目前拥有相当规模的电磁兼容（EMC）、安全（safety）、R&TTE、RoHS检测实验室，检测实验室为严格按照ISO/IEC 17025， GUIDE 25与EN45001国际实验室管理规范组织建立的第三方检测实验室。

ESD HBM测试可以到上海宏康、宜硕去测试，这两个都是台湾的公司，也可以去浙江大学ESD实验室去测试。

国内产品的EMC设备，主要集中在抗扰度测试方面：ESD、EFT、浪涌等等比较知名的有3ctest和普锐马接收机方面的话，也就只有RS的了，其它的感觉都不行。

esd静电防护标准如下：DINEN61340-5-1静电-第5-1部分：保护电子元件免受静电现象影响-一般要求。DINEN61340-5-1增补1静电-第5-2部分：保护电子元件免受静电现象影响-用户手册。

IEC61340-5-1：2016标准是ESD S20：2014之外的另一个防静电国际认证标准，IEC61340-5-1：2016标准是对通过ESD S20：2014标准更新。

ESD标准：公共标准和法规中定义了与 ESD 保护相关的普遍适用问题的规范、限值和测试方法。ESD标准IEC(DIN EN) 61340-5-1 提供了针对静电放电 (ESD) 的控制程序的必要管理和技术要求（创建、引入和维护）。

焊接时，要将电烙铁外壳接上可靠地线，或者在焊接时，将电烙铁与电源暂时脱离。目前，常在 MOS管输人端加置保护措施。

为了保护MOS管的栅极，防止电流过大而损坏栅极。在MOS管的工作过程中，如果栅极电流过大，会导致栅极和栅极氧化膜受到损坏，从而影响MOS管的性能和寿命。

双栅MOS场效应管有两个栅极GG2。为区分之，可用手分别触摸GG2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。

栅源间的过电压保护：如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲，这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏，如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。

对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极(使用中接地)。判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

它们的管脚排列（底视图）MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。

mos管esd保护（mos管 eas）