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1、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
2、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件,光电耦合器件广泛运用在电脑终端机,可控硅系统设置,测量仪器、影印机、自动售票、家用电器,比如电风扇、加热器等。
3、如果本来就共地没必要隔离;如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好,通过专门的驱动IC(我忘了,好像是IRF做的)驱动变压器,时间匹配是最好的。
4、首先MOS管是四端器件,栅源漏衬,一般源衬短接。
5、在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要。顺便说一句,体二极管只在单个的MOS管中存在,在集成电路芯片内部通常是没有的。
1、我曾经用OrCAD做过这个,好多次尝试,发现总是实现不了。后来发现用这几个软件是实现不了开关电源仿真的,最多看看各种参数对开关电源性能的一些影响。建议:设计一个原理图,然后自己做板子调试。
2、NE555输出Iq有200mA,如果你的mos的开启电压Vth小于你NE555的VCC的话,直接在MOS管G级串一个1kΩ电阻驱动即可。当然最好并一个1nf电容到地。大功率mos需要另行计算。
3、有个笔误,Q3门极电压012--Q3门极电压12V。这里黙认场效应管的门极开启电压(绝对值)是大于1V且小于11V,即门极在电源电压的高、低电平范围内能使沟道导通或截止、实现逻辑动作,比如是2V。
4、不知道你的电路可否有5V以上其他电源?如果没有的话,只用3V是不可靠的,MOS管可能因为处于放大状态而导致电机速度不够,也容易烧MOS管。如用24V做驱动,MOS管栅极可接5V左右的稳压管以防过压。
5、步进电机功率驱动级电路可分为电压和电流两种驱动方式。电流驱动方式最常用的是PWM恒流斩波驱动电路,也是最常用的高性能驱动方式,其中一相的等效电路图如图3所示。
对于你的数字逻辑芯片来说,4v确实是高电平,但是你上图里面的是模拟电路,不讲逻辑电平,你如果在MOS的源极输入一个4v的话,并不影响4v叫什么,4v还是高电平,只是你这个MOS不能导通而已。
两图都能在低速下工作,但下图的Q11集电结功耗偏大且不可控,会发热并可能容易烧掉。两图高速都不理想,上图开通70n03的速度太慢,下图 关断7n03的速度太慢。
Q1Q2是两个反相器,即Q1Q2必须工作在开关状态,饱和导通或截止。所以,Q1输入低电平时,Q3也是低电平输入,则Q3 P沟道场效应管会导通,那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态,应该会导通。
单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻,发射极接地,集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作,低电平时关断。
MOS开关电路图电路图如下:AOD448是30V 75A的管子,是用5V驱动的,偏高了点。可以用AOD442,AO3416等管子,电压用5V就能驱动。当电压为5V时,只有26豪欧。电流2到3安没问题。
由于输入电压并不是简单的固定值,在很多时候在宽电压的应用会随着时间或者其他因素将会产生变动。这个变动将会导致PWM电路提供给MOS的驱动电压将会出现不稳定,而容易烧坏MOS管。
1、要注意,MOS大功率开关的栅极电压要足够高才行一般在5V左右可认为MOS饱和导通,参看IRF3205参数。栅极当然也不能太高,不能超过20V。
2、单片机输出PWM,改变其占空比来控制MOS管的导通角,从而改变灯的亮度。占空比位1和0,灯就是开或者灭。当然控制电路部分要与工作电路部分需加光耦隔离。
3、你好:你的单片机的IO是开漏输出的,因此你加的R26这个上拉电阻,但R26取值100K有点大,把R26减小如改为10K看看,如果还高就再减小。
4、两图高速都不理想,上图开通70n03的速度太慢,下图 关断7n03的速度太慢。
5、V单片机驱动5V、12V继电器,不宜用mos管,MOS管开通电压较高,3V可能不会使MOS管充分导通。5V时最好用PNP管子,12V时最好用NPN管子。
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