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驱动mos管电路（驱动mos管电路图包含led灯）

发布时间：2023-07-26
阅读量：29

本文目录一览：

请高手帮忙看一下,我这个光耦驱动MOS管的电路有问题吗?如果有的话问题...

1、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

2、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。

3、如果本来就共地没必要隔离；如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好，通过专门的驱动IC(我忘了，好像是IRF做的)驱动变压器，时间匹配是最好的。

4、首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。

5、在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

这个电路图MOS管是怎么驱动的

1、我曾经用OrCAD做过这个，好多次尝试，发现总是实现不了。后来发现用这几个软件是实现不了开关电源仿真的，最多看看各种参数对开关电源性能的一些影响。建议：设计一个原理图，然后自己做板子调试。

2、NE555输出Iq有200mA，如果你的mos的开启电压Vth小于你NE555的VCC的话，直接在MOS管G级串一个1kΩ电阻驱动即可。当然最好并一个1nf电容到地。大功率mos需要另行计算。

3、有个笔误，Q3门极电压012--Q3门极电压12V。这里黙认场效应管的门极开启电压（绝对值）是大于1V且小于11V，即门极在电源电压的高、低电平范围内能使沟道导通或截止、实现逻辑动作，比如是2V。

4、不知道你的电路可否有5V以上其他电源？如果没有的话，只用3V是不可靠的，MOS管可能因为处于放大状态而导致电机速度不够，也容易烧MOS管。如用24V做驱动，MOS管栅极可接5V左右的稳压管以防过压。

5、步进电机功率驱动级电路可分为电压和电流两种驱动方式。电流驱动方式最常用的是PWM恒流斩波驱动电路，也是最常用的高性能驱动方式，其中一相的等效电路图如图3所示。

这个驱动mos管的电路图,我这样分析对吗?请分析判断下

对于你的数字逻辑芯片来说，4v确实是高电平，但是你上图里面的是模拟电路，不讲逻辑电平，你如果在MOS的源极输入一个4v的话，并不影响4v叫什么，4v还是高电平，只是你这个MOS不能导通而已。

两图都能在低速下工作，但下图的Q11集电结功耗偏大且不可控，会发热并可能容易烧掉。两图高速都不理想，上图开通70n03的速度太慢，下图 关断7n03的速度太慢。

Q1Q2是两个反相器，即Q1Q2必须工作在开关状态，饱和导通或截止。所以，Q1输入低电平时，Q3也是低电平输入，则Q3 P沟道场效应管会导通，那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态，应该会导通。

单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。

MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

由于输入电压并不是简单的固定值，在很多时候在宽电压的应用会随着时间或者其他因素将会产生变动。这个变动将会导致PWM电路提供给MOS的驱动电压将会出现不稳定，而容易烧坏MOS管。

如何用3.3V单片机驱动mos管

1、要注意，MOS大功率开关的栅极电压要足够高才行一般在5V左右可认为MOS饱和导通，参看IRF3205参数。栅极当然也不能太高，不能超过20V。

2、单片机输出PWM，改变其占空比来控制MOS管的导通角，从而改变灯的亮度。占空比位1和0，灯就是开或者灭。当然控制电路部分要与工作电路部分需加光耦隔离。

3、你好：你的单片机的IO是开漏输出的，因此你加的R26这个上拉电阻，但R26取值100K有点大，把R26减小如改为10K看看，如果还高就再减小。

4、两图高速都不理想，上图开通70n03的速度太慢，下图 关断7n03的速度太慢。

5、V单片机驱动5V、12V继电器，不宜用mos管，MOS管开通电压较高，3V可能不会使MOS管充分导通。5V时最好用PNP管子，12V时最好用NPN管子。

关键词：电阻 1nf电容 电容 驱动mos管 f电容 光耦 可控硅 单片机驱动mos管 寄生二极管 mos管 nf电容

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