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但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。GTR基极驱动电路 (1)对基极驱动电路的要求 ①实现主电路与控制电路间的电隔离。
主要是通过光耦合器控制三极管的原理控制触发电路\x0d\x0a3MOSFET和IGBT都是电压驱动器件，要求驱动电路有较小的输出电阻。
GTR电路就是电力晶体管驱动的电路！电力晶体管就是楼上说的Giant Transistor。
制动电阻就是用来消耗这部分能量的。制动单元 制动单元由大功率晶体管GTR及其驱动电路构成。其功能是为放电电流IB流经提供通路。
1、GTR是巨型晶体管或称功率晶体管。从它的电路符号可见它与普通晶体管工作原理上是一样的，只是其制造工艺和功率大小不同。MOSFET是场效应管。
2、GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低。GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好。
3、电力晶体管是压控型的控制器件。电力晶体管(Giant Transistor)简称GTR又称BJT（Bipolar Junction Transistor），GTR和BJT这两个名称是等效的，结构和工作原理都和小功率晶体管非常相似。GTR由三层半导体、两个PN结组成。
4、半控型器件，例如晶闸管；全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），Power MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；不可控器件，例如电力二极管。
1、半控型器件，例如晶闸管；全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），Power MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；不可控器件，例如电力二极管。
2、其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。
3、IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
4、电力二极管为不可控器件，结构和原理简单，工作可靠；还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件，其中GTO、GTR为电流驱动型器件，IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。断路器是属于电力电子元器件的，不好证明。
5、击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
6、常用全控型电力电子器件：门极可关断晶闸管。电压控制型器件：电力晶体管、绝缘栅双极晶体管。电流控制型器件：电力场效应晶体管。单相桥式整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为sqrt(2)U/2和sqrt(2)U。
1、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
2、电子开关的话可以是三极管、开关二极管、晶闸管，如果放宽点用继电器或者光电耦合器可以实现间接控制，如果有特殊需要可以使用光敏电阻、特殊敏感电阻等与上述元件配合形成一个开关。
3、常见的开关电路有三极管开关电路，场效应管开关电路（包括MOS管开关电路），触摸开关电路，温控开关电路，单键开关电路，光控开关电路，光电开关电路等等。场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类，可以用作开关电路。
常用的接线端子分为两类，一类是冷压接线端子，另一类是接线端子排；冷压接线端子的类型较多，在外形和型号上有区分，外形上有叉形端子、圆形端子、管型端子、片形端子、针形端子等，每个类型的端子都有各种型号。
接线端子分类为插拔式接线端子，栅栏式接线端子，焊接式接线端子，组合式接线端子。
TD系列组合型接线端子、JH9系列组合型接线端子、TB系列固定式接线端子、TBC系列固定式接线端子、TA系列组合型接线端子。
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