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MOS管是金属－氧化物－半导体结构的场效应三级管，而普通三极管则是P-N-P或 N-P-N结构（双极工艺）的三极管，IC(集成电路)是采用MOS或双极工艺或复合工艺在半导体基片上制作若干个元器件并连接成电路的器件。
MOS IC 是什么意思？ mos管 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应电晶体，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
CD4066之类的CMOS双向模拟开关就很好用，要求更高些可以选用Maxim的相关产品。
可以购买由双向可控硅制作的固态继电器控制比较方便只要一个3到30V的直流电源即可。使用场效应管自己制作开关比较麻烦。并且费用偏高。
MOS管是电压控制型半导体器件，输入阻抗高，功耗低。而晶体管是电流控制型半导体器件器件，输入阻抗低，对前级电路的影响较大。两者都可以做开关使用，如果设计电路最好用MOS管，如果维修的话要按照原来的型号更换。
回答如下：没有办法代替，像IRFZ44这样的大功率MOS管，它的导通电阻很低，三极管和它的差异就比较大，你的电源电压只有7V，三极管的饱和压降就会对电路的效率产生明显的影响。
1、个三极管串起来叫推挽工作。一个导通时另一个截止。另一个导通时这个截止。2对并接，如果输出端也并只是增加输出电流，如果不并，通常用作逆变电路或改变直流电机方向。
2、理论上开关电源driver能接MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。
3、CD4066之类的CMOS双向模拟开关就很好用，要求更高些可以选用Maxim的相关产品。
4、应当有的，我以前在数码港买过的，我以前买的是CD4011你也可以过去看下。
1、耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。还有一种MOS晶体管，叫做MOS栅极控制晶闸管，是一种新型MOS与双极复合型器件。
2、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
3、两层结构由绝缘体作为左侧层和半导体作为右侧层。这种结构的一个例子是MOS 电容器，它是一种由金属栅极触点、具有体触点的半导体本体（例如硅）和中间绝缘层（例如二氧化硅）组成的双端子结构，因此指定O）。
4、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
5、mos管通俗易懂的工作原理：芯片MOS（Metal Oxide Semiconductor，金属氧化物半导体）管自上世纪中叶时期被发明以来，其工作原理变化不大（但材料和工艺随着制程演进变化较大）。
6、MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
1、MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。
2、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。
3、mos管的作用如下：MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。
4、在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。
5、Metal-Oxide-Semiconductor）。它的栅-源间电阻比结型效应管大得多，还因为它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单，而广泛应用于大规模和超大规模集成电路之中。MOS管导电性可控，还有整流作用。
6、作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
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