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MOS管的发热（mos管的发热量）

发布时间：2023-07-26
阅读量：31

本文目录一览：

红外线加热管是什么？

1、红外线加热管就是那种通电后能发出红外线的管子，如消毒柜中的管子。

2、实际上区别不大，只是人们的习惯叫法不同而已。要硬说区别，字面上理解，波长的不同。红外线加热管是泛指所有的以辐射作为加热方式的加热器，含短波、中波等。远红外线加热管严格说不包括短波加热器。

3、红外线广泛用于工业加热或烘干，如汽车、塑料、印刷、玻璃、纺织、食品、金属零件、线路板封装、胶片及电子领域等表面加热烘干固化的工艺流程。

恒流源mos管发烫为什么,仿真没问题

发烫证明已经有电流流经127了。绝对是万能表有问题。直接电流表测量时，127承受电压约10v，消耗功率约5w，不烫就不正常了。

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可能是你的线路不太对，或者是线路太复杂了；可能是软件本身的BUG。

线性恒流电路的MOS管当然会发热，需要加散热片。发热量有多少，取决于MOS管上的电压和电流，应根据发热量选择散热片的大小尺寸，如有必要，可以加散热风扇甚至水冷装置。

是100M，见下图画红圈项，这个阻值足以让MOS管导通的。这是仿真软件的问题，当然了，这个阻值是可以改的。但是改大了，当按下按钮MOS管导通了，松开按钮MOS管却不会断开。所以，最好的办法是加一个电阻。

MOS管总发烧?大部分就是这四个原因

开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。

首先，MOS管发热的原因是什么？MOS选型不合理，内阻较大，或者是封装导热性不好，导致温升较高。散热效果不好，MOS管是贴在PCB板上的还是拧在散热片上的。

通过测试结果分析后，改变栅极驱动电阻阻值，选择合适的频率，给MOS管完全导通创造条件，MOS工作后有效的降低了尖峰电压，又选择了内阻更小的MOS管，使在开关过程中管子本身的压降降低。同时合理选择的散热器。

驱动频率过高，G极驱动电压不够，通过漏极和源极的Id电流太高。buckboost电路mos管发热原因是驱动频率过高，G极驱动电压不够，通过漏极和源极的Id电流太高，重要的是进行正确的测试，才能发现问题所在。

buckboost电路mos管发热

未工作于开关状态。MOS发烫肯定是功率损耗在上面了，原因是未工作于开关状态。查一查MOS驱动，驱动电流够不够，电压够不够。要用1N4007，最好用速度更快的开关二极管，如SK34等。

电感充电迅速完成，之后管子没有关断导致电感成了直流电阻负载，消耗电能并导致MOS发热。如果频率高的话可以缓解这种状况，但是增加电感量是根本。

电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。

求led驱动mos管发热严重解决办法

1、通过测试结果分析后，改变栅极驱动电阻阻值，选择合适的频率，给MOS管完全导通创造条件，MOS工作后有效的降低了尖峰电压，又选择了内阻更小的MOS管，使在开关过程中管子本身的压降降低。同时合理选择的散热器。

2、要注意，大多数场合特别是LED市电驱动应用，开关损害要远大于导通损耗。

3、如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。

4、驱动MOS管是大功率电子元件，温度太高使用寿命会缩短，是要花时间去解决，但是从实际中可知，解决方法如下供参考：改善周围环境温度 加装散热装置，如风扇、驱动MOS管周围采用压缩空气循环等。更换型号。

5、对抗性方法：强制散热，增大散热片面积，将MOS管与散热片紧贴（加硅胶），必要时采用强制风冷（风扇吹）等等。

mos管的发热分析

1、假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。

2、一直处于导通的MOS管很容易发热。另外，慢慢升高的结温也会导致RDS(ON)的增加。MOS管数据手册规定了热阻抗参数，其定义为MOS管封装的半导体结散热能力。RθJC的最简单的定义是结到管壳的热阻抗。

3、经过这样处理后，重新实验，让整个电源正常工作后，加大负载到满负荷工作，MOS管发热始终没有超过50°，应该是比较理想。

4、如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容（几百上千Pf ）因此开关开通与关断过程很长，会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。

5、驱动频率过高，G极驱动电压不够，通过漏极和源极的Id电流太高。buckboost电路mos管发热原因是驱动频率过高，G极驱动电压不够，通过漏极和源极的Id电流太高，重要的是进行正确的测试，才能发现问题所在。

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