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光电器件UI特性曲线(光电特性曲线总结)

发布时间:2023-07-26
阅读量:55

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为什么要测电光,光电器件的V-I特性?

因为光垫起脚的特性取向很重要,在工作中在使用中都非常需要这个曲线,所以说必须撤这个曲线。

很多器件的VI特性都很重要,只有充分了解器件的特性,才能更好的使用器件。

其可来研究导体电阻的变化规律。伏安特性曲线图用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。

因为二极管两端加了电压,无光照也会产生电流,即暗电流。有光照射时,光电二极管会产生光电流(“明电流”这种说法不准确)。光伏器件I-V曲线中的电流I(即流过二极管的总电流)是光电流与暗电流之和。

光电二极管,光敏电阻,光电池的特性曲线各是什么样子的

光电管伏安特性曲线各段形成的原因:饱和区:在光照强度较大的情况下,光电子的发射量增加,但是光电子在电场作用下的加速度并不会随之增加,因为电场强度已经达到了饱和值,此时光电流基本保持不变,因此出现了饱和区。

光敏电阻特性曲线的特点:灵敏度、光谱响应、光线特性、温度系数。灵敏度:灵敏度是指光敏电阻的电阻值时,没有照射光(暗电阻)和电阻值,当照射的光(光)性的相对变化值。

光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出,随着的光照强度的增加,光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度,则电阻值变化减小,然后逐渐趋向平缓。

光敏电阻:电阻值根据光照强度发生变化;光电池:根据光照强度可以输出电压和电流;光敏二极管:二极管反向电流根据光照强度发生变化;光敏三极管:相当于一个光敏二极管和普通三极管组合,其电流变化的放大倍数为三极管的放大倍数。

电阻方面不同 和光敏二极管不同,光敏电阻测量的时候,没有正反,两面的电阻是一样的。

光敏电阻的特性 时延特性 当光敏电阻受到脉冲光照射时,光电流要经过 一段时间才能达到稳定值,而在停止光照后,光电流 也不立刻为零,这就是光敏电阻的时延特性。

求一份光电效应测普朗克常数实验画I—U曲线的数据!波长是436

. 在365nm、405nm、436nm、546nm、577nm五种单色光下分别测出光电管的伏安特性曲线,并根据此曲线确定遏止电位差值,计算普朗克常量h。

我昨天刚做了这个实验(光电效应测量普朗克常数),我是用最小二乘法进行处理数据,我的测量结果相对百分差是0.28%,大约为0.3%。

W / e)用不同频率的光照射,测得不同的反向截止电压。上式中,U0作为因变量,v作为自变量,画出一条直线,直线的斜率就等于(h / e),e是电子电量(已知),在直线上求得斜率后,就能求得普朗克常量h 了。

找出在不同波长的光(我们只用了两种波长的光)照射下的三十组(组数随老师要求)相对应的I、U值,然后在坐标纸上画出不同波长下的I-U图像(图像类似于书上6-4的形状)。

u-I图象叫伏安特性曲线吗

伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的,也就是耗电元件,图像常被用来研究导体电阻的变化规律,是物理学常用的图像法之一。

伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的,也就是耗电元件,图像常被用来研究导体电阻的变化规律,是物理学常用的图像法之一。

UI图像一般是表示电路中(也可以是元件的)电流和电压的函数关系图像。而伏安特性曲线一般是指电路元件的电流和电压函数关系的曲线。它们都是用图像法来描述电流电压函数关系的。只是叫法不同而已,没有什么根本区别。

伏安特性曲线是U-I曲线 伏安特性曲线纵轴是电压U 横轴是电流I 根据 R=U/I 斜率表示电阻 根据P=UI 面积表示电功率。

电阻的伏安特性曲线是:伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U,以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。

关键词:普通三极管 三极管的放大 体电阻 光敏二极管 暗电阻 光敏三极管 电阻的 电阻 二极管反向 导体电阻 三极管组 光电二极管 光敏电阻的阻值 光电器件

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