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1、电压不同
高压mos管电压在400V~1000V左右,低压mos管在1~40V左右。
2、反应速度不同
耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。
mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即圆肆使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
扩展资料:
MOS管这个器件有两个电极,分别是漏极D和源极S,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区,并用金属铝引出漏极D和源极S。
然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜,在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。这就构成了一个N/P沟道(NPN型)增强型MOS管。
做电源设计,或者做驱动方面的电路,难免要用到MOS管。MOS管有很多种类,也有很多作用。做电源或者驱动的核升使用,当然就改腔老是用它的开关作用。
无论N型或者P型MOS管,其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性,不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应,因此在开关应用中,MOS管的开关速度应该比三极管快。
参考资料来源:百度百科—MOS管
GS电压大于1000V?太强大前姿唯了册纤。。。
应该是击穿电压--DS吧。
GS电压超过20V,IGBT都完了慧培
充电器用的闭迟是高压MOS管,可用5A-10A 800-1000V的管子代用,在换上MOS管祥态余之前用示波器观看3842六角有无输谨滚出,若无输出则3842也要一起换(16.5V辅助电源供电正常情况下看)。
一般是以200V 为分界点。低压MOS 一般用于消费类电子,以单节4.2V电池的保护帆蚂板会用到低压线路,现在汽车充电线路板上面也会用到40-120V的MOS,封装一般已贴片为主,用量蛮大。
高压MOS 一般以500V 600V 650V(这个电戚轿旁压值的比较常规)700V 800V ,现在超结MOS也称COOLMOS的1000V 1200V 1600V,也已经常规化。
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