光电器件apd（光电器件有哪几种类型?各有何特点?）

发布时间：2023-07-26

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PIN：光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大，放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。

APD：和PIN相比，多了一个雪崩增益区，可以发大光生电流，从而提高转化效率，但是雪崩增益本身也会产生噪声。

由于基极电压是对PN结起作用，所以微小的电流就能破坏PN结的平衡，造成集电极产生很大的电流。这就是晶体管的放大作用的来源。微小的基极电流控制了集电极较大的电流。

APD全称Avalanche Photo Diode，译为雪崩光电二极管，是一种半导体光检测器，其原理类似于光电倍增管。

当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时，在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。

指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。

1、测量 I ceo 的电路很简单(图 7 )，三极管的基极开路，在集电极与发射极之间接入电源 V CC ( 6V )，串联在电路中的电流表(可用万用表中的 0.1mA 挡)所指示的电流值就是 I ceo 。

2、三极管通过控制不同区域电子浓度，实现控制电流的目的。当在基环节施加一个电压时，基区向发射极注入少量电子，这些电子穿过极薄的基区并扩散到集电极中，形成集电极和发射极之间的连通通道。

3、三级管工作原理图：对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

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