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额定功率8KW=4800瓦,它除以3除以电压380伏除以功率因数除以效率除以根号3,看是否等于额定电流15A。如果你告诉我功率因数和效率,就可以算出来(注意:效率和功率因数满载时最高)。
Idr等于Id/3。半波可控整流输出电压平均值可用控制角来表示:控制角等于0时,导通角为180,晶闸管在整个正半波内全导通,输出电压最大(0.45U),相当于二极管。
可控硅整流换交直流算公式是指用可控硅来控制交流电源输出直流电源的公式。可控硅整流换交直流算公式主要有三个公式: 平均值公式:Vdc=Vm*K; RMS公式:Vdc=Vm*K*sqrt(2); 峰值公式:Vdc=Vm*K*2。
可控硅控制两端的电流取决于硅的类型,其工作原理,硅的型号以及外部电路的构造。根据可控硅的型号,它可以控制一至几千安培的电流。
1、很多表现为低电压的触发电压实际因为时间常数比较小,外部测量表现为低电压。一般都是在10v左右的触发电压,自己可以用充电的电容来进行试验挑选。5v触发电压的品种很少大多为小功率的可控硅。
2、一般常用双向可控硅控制信号都不大于3V,可控硅电压.电流都有高有低,100V-上千V1-上百A型号上百以上。给你个简单给你参考。
3、晶闸管的门控信号:小容量(5A的)有3V,60mA即可,大容量(500的)要有4V,400mA。
可控硅的触发电压一般为1~2V吧,具体的参数可以查手册。可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。
可控硅的核心就是可控,控制的就是你这个二极管的导通和截止。你说的用51单片机控制可控硅,这就是可控硅的一种控制方法了。
控制380V电压选可控硅其反耐压值1200V的从电压角度来说没问题,你既回做220V的,也就能做380V的。220V和380V区别在于前者为相(对地)电压,后者为线(间)电压。
可控硅的失控电压一般是0.8到5V。可控硅电压调整器又称晶闸管电压调整器。它主要是利用变化的输入信号控制来晶闸管导通角,以改变输出电压值的调整器。
一般需要5V以上或者10mA左右的驱动电流,如图所示,这里RL为负载,R1为驱动限流电阻,如果你所使用的单向可控硅驱动电流很小,可以增大R1的值。
使用单片机输出PWM信号,即可得到不同的控制电压,以控制可控硅的导通情况。复杂一点的需要做闭环系统,也就是通过ADC输入后,形成一个闭环的电压监测,依据此值来控制输出,使输出电压与预设的电压一致。
1、可控硅原理是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压,在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后,松开按钮开关,去掉触发电压,仍然维持导通状态。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。
2、可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。
3、可控硅的工作原理为:要使晶闸管导通,一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压,二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后,松开按钮开关,去掉触发电压,仍然维持导通状态。
4、双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连,其引出端称T2极,其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连,其引出端称T2极,剩下则为控制极(G)。
5、电流的大小由所加阳极电压和主回路电阻所决定,即I=U/R。而且此后,即便撤除门极控制信号或施加反向控制信号,可控硅将继续保持导通,直到主回路电流降低到0,可控硅才恢复关断。可控硅的原理大致如此,但愿能对你有所帮助。
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