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1、场效应管,英文缩写MOSFET,一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同,MOSFET分为N沟道型(上图)和P沟道型(下图),如下面图所示,一般使用N沟道型可带来便捷性。
2、从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
3、你的不足在于,没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子,衬底是B,而且是P型半导体,B与源极S连在一起。
4、当uGSUTN之后,只要在恒流区,转移特性曲线基本上是重合在一起的。曲线越陡,表示uGS对iD的控制作用越强,也即放大作用越强,且常用转移特性曲线的斜率跨导gm来表示。P沟道增强型MOS管 上面讲的是N沟道增强型MOS管。
场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器。场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
主要作用有2两个 1做开关使用,与晶体管比较,场效应管被认为是电压控制电流型器件,所以它的输入阻抗很大,且相应速度很快,适合输入的信号电流很小的电路。
可以用于放大作用。场效应管放大器的输入阻抗高,耦合电容容量小,不需要使用电解电容器。场效应管有很高的输入阻抗,适合作阻抗变换。多用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,属于电压控制型半导体器件。
我们可以看到,N沟道的MOS管的电路中,BEEP引脚为高电平即可导通,蜂鸣器发出声音,低电平关闭蜂鸣器;P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断,GPS_PWR引脚为低电平时导通,GPS模块正常供电,高电平时GPS模块断电。
带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
MOS开关电路图电路图如下:AOD448是30V 75A的管子,是用5V驱动的,偏高了点。可以用AOD442,AO3416等管子,电压用5V就能驱动。当电压为5V时,只有26豪欧。电流2到3安没问题。
MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。
MOS管开关电路是利用MOS管栅极(g)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道,所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS,导通时需要是栅极电压大于源极电压。
mos管是电压控制元件,在某些方面使用起来很方便,当然,在开关电路中,由于mos管的导通电阻很小,所以使用也非常好,在开关电路中应用,就是一个能够受控制的开关,一般是受电压信号的控制。
单片机输出PWM,改变其占空比来控制MOS管的导通角,从而改变灯的亮度。占空比位1和0,灯就是开或者灭。当然控制电路部分要与工作电路部分需加光耦隔离。
MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的。
用MOS管,G极用RC电路,注意RC的时间不要太长,以免把MOS管烧毁。
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