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Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
这个主要是看你用在什么上面，然后根据你的应用选择参数。一般来说，考虑的参数是Vds，Ids以及Rds这三个，还有有的会考虑Ciss这个参数的，希望能帮到你。
耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。
更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
静态漏源导通电阻RDS(on)：0.085Ω 输入电容Ciss：5800 pF 输出电容Coss：880 pF 漏极-源极二极管正向电压VSD：4V 反向恢复时间trr：520 ns FQL40N50描述：这种N沟道增强型功率MOSFET是使用平面条纹和DMOS技术生产的。
静态漏源导通电阻RDS(on)，在特定的VGS（通常为10V）、结温和漏极电流的条件下，MOS管7N65导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N65开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。
高压额定值：IXFA14N85XHV的额定电压为850V，适用于高压应用。低导通电阻：这种功率MOSFET的导通电阻（RDS（On））为14mΩ，从而减少了功率损耗并提高了效率。
1、IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。
2、一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
3、检测IGBT好坏简便方法：判断极性。首先将万用表拨在R1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。
4、IGBT管有：P型、N型，有带阻尼的和无阻尼的。常见的IGBT管的管脚排列，将管脚朝下，标型号面朝自己，从左到右数，1脚：栅极或称门极（G），2脚：集电极（c），3脚：发射极（e）。
1、、价格：6N137目前是最常用的高速光电隔离器件，人民币约合3块左右；ADuM1201是ADI于2003年推出的隔离器，人民币约合4块左右/通道。
2、三极管在市场上的价格是0.11元到49元。(价格来源网络，仅供参考。
3、当然，也可以选择线性光耦进行设计，如精密线性光耦TIL300，高速线性光耦6N135/6N136。线性光耦一般价格比普通光耦高，但是使用方便，设计简单；随着器件价格的下降，使用线性光耦将是趋势。
4、根据市场上常见的光耦规格，其耐压值一般在几百伏至数千伏之间，其中最高可达到数千伏的等级，具体取决于工作电压、绝缘材料以及结构设计等因素。
5、TLP521，4个脚，实际上是TLP521-1，也就是单光耦。一般可以用PC817代替，也是单光耦，封装相同，价格好像涨得不多，比较便宜的。
1、N65是15A，650V，N沟道功率MOSFET 20N60是20A，600V，N沟道功率MOSFET 20A电流大于15A，是可以的。600V电压少于650V，这个就不一定了，如果负载小于600V就可以，如果负载大于600V，就不行了。
2、②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。③、向那5N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：5A//T0-220封装//。
3、模拟开由于其应用的信号链路为电子板低压工作环境，关耐压值一般在15v以内；常见的有3v、5v、12v、1等最大耐压值；选择时必须注意信号链路的最大电压与器件最大耐压值。
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