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1、光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
2、它的具体参数如下:正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。
3、HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器,采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。
4、光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
5、光耦817B导通电流最小是130mA,最大是260mA,正向压降为6V,最大耐压为35V。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器,简称光耦。
1、光耦不可以替代817光耦。根据查询相关信息显示781光耦和817光耦峰值正向电流不同、作用不同、应用不同。
2、el817与el817c通用。两者功能和模板一样。el817与el817c是台湾亿光生产的线性光耦,用在电源的反馈回路,用来稳定电压和隔离。
3、光耦都一样。根据查询相关资料显示,817光耦亿光光电耦合器的一种型号EL817,是一种把红外光发射器件和红外光接受器件以及信号处理电路等封装在同一管座内的器件,是通用的,都一样。
4、光耦pc817坏了是可以替换jc817的,这两种光耦参数及引脚都一样,只是不同的厂家型号前缀不同。
5、PC817的隔离电压是5000V,在光耦中已经是最高了,目前为止,没有光耦的隔离电压在5000V以上。
1、方法1:用数字万用表的PN结测量端,红表笔“电池+极”接光耦的“1”端,黑表笔“电池-极”接光耦的“2”端(即使光耦的发光二极管正向导通)。
2、估计是你的MOS管有问题,不然漏电流不该这么大。可以通过这样几个方案解决:更换MOS管。改变电路结构,MOS管S接地,漏极接光耦发光二极管。改换三极管,MOS管换成普通三极管。
3、直接控制是不行的。按工作电压分,可分为低电源电压型光电耦合器(一般5~15V)和高电源电压型光电耦合器(一般大于30V)单片机驱动三极管,然后驱动电磁继电器吧,中间加个 发光二极管做提示,这样肯定没问题。
4、串联二极管电阻(限制电流)并联电容以滤波。
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