mos管结电容（MOS管结电容放电）

发布时间：2023-07-27

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1、避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上dummy routing layer后者dummy元器件。

2、串联...首先，G级和S级有结电容Cgs，假设mos管完全导通为12V，4V初步导通，那么G级电压会产生一个4V的米勒平台。G级电压会对Cgs充电，使G级电压维持在4V。

3、小于100pf。在MOS管的DS两端并联吸收电容，DS端并联的电容小于100pf，电容的耐压需和MOS管耐压一致，容值需要根据电压尖峰和寄生电感的大小选择，通常为nf级。

4、这种结构的一个例子是MOS 电容器，它是一种由金属栅极触点、具有体触点的半导体本体（例如硅）和中间绝缘层（例如二氧化硅）组成的双端子结构，因此指定O）。导带的最低能级和价带的最高能级。

5、首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。

mos管结电容（MOS管结电容放电）

1、结电容无变容效应。VMOS管的结电容不随结电压而变化，无一般晶体管结电容的变容效应，可避免由变容效应招致的失真。频率特性好。

2、小于100pf。在MOS管的DS两端并联吸收电容，DS端并联的电容小于100pf，电容的耐压需和MOS管耐压一致，容值需要根据电压尖峰和寄生电感的大小选择，通常为nf级。

3、GE和CE间的电容均为100nF，GE和CE间的电阻均为100kΩ。igbt的e级和g极并联电阻的大小应该是无穷大，因为IGBT管的输入级是场效应管。IGBT是指绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效。

1、寄生日电容，完全消除不可能。只能尽可能减少影响。例如线圈匝间电容，就可以用间绕，蜂房式绕法来降低寄生电容。

2、拉开绕组之间的距离或者增加屏蔽可减少寄生电容。但这里存在一个矛盾就是。绕组之间距离太远的话。耦合性就会变差。即漏感就会变大。所以平时调试变压器的时候应根据实际情况。比如传导（emi）差的话。

3、因此，寄生参数对传感器电容的影响基本上就可以消除掉。整体屏蔽法是解决电容传感器寄生电容问题的很好的方法，其缺点就是使得结构变得比较复杂。另外采用集成法也是消除电容传感器寄生电容干扰的一种有效方法。

4、把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。

1、要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。

2、我只要再28VOUT端加上大电容后，不管G极电压变化MOS管一直处于导通状态。如果28VOUT端不加大电容后，MOS管随G极电压变化能起到开关作用。请问这大电容到底影响了什么东西。

3、当G加上电压后就会给这个电容充电，当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能马上放掉的，实际上G极的电压仍然存在一段时间，所以不会马上截止。

4、因为这是一个增强型N沟道MOS管，必须给G极提供一个与D极相同极性的电压，并且要大于开启电压，才能使该管进入放大状态。CC10两个电容应当是退耦电容（避免由于电源内阻引起前后级间互相影响）。那两个电阻不是线绕电阻。