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这个很明了，你的这个光耦肯定也有较小的漏电流，这个小的漏电流就足以驱动MOSFET让他开通。这个时候你只要将MOSFET的门极用一个100K的电阻接地，泄放掉这些电荷，就可以防止误导通。
你负载需要200mA电流，光耦的效率一般是50%，你计算下你光耦输出的电流是很小的，所以不起作用。建议加个三极管驱动下。
)静态检测（见图4 2）。电路处于静止状态时，相对于+5V供电的地端，PC2的3脚电压都为SV，直接测量3脚之间电压差为0V；以驱动电源的0V为0电位参考点，CN1触发引线端子的1线应为-10V。
光耦驱动电路原理：电流通过5V电源，送低电平到发光二极管，因为有电流通过而发光，电阻R2，T1就导通，T1的E和C，到地，光耦的发光二极管，电源VCC通过R3，到地，致使三极管接收端导通。
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。
低压的时候灯泡里面有啸叫，一般是内部驱动电源上的电感（或者变压器）发出的。电压过低的时候，信号的周期频率接近或落入音频范围。周期性电流经过电感线圈，产生交变磁场，该电感线圈在交变磁场作用下产生振动而发出声音。
MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。
如果本来就共地没必要隔离；如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好，通过专门的驱动IC(我忘了，好像是IRF做的)驱动变压器，时间匹配是最好的。
1、只要电压大于开启电压，就能导通，显然12v应该大于它的导通电压了。可以在R3后用一个电阻接地（分压），使光耦未导通时g栅极电压Ugs小于IRFZ24N的开启电压。。这个接地电阻即所谓的“下拉电阻”，下拉到地，确保截止。
2、串联电阻不需要计算，取一个大点的数值就可以，因为场效应管输入阻抗很高。也许3V电压太低，不能使场效应管开启。解决方案：(1)在P0到电源之间接一个5K的上拉电阻，看看行不行。
3、两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。向左转|向右转 场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。
4、，40A整流开销不小设压降为5V功耗将达5×40×2达一佰多瓦 3，若用交流可控硅功耗为5×40为60瓦左右并无需整流，若改用光耦驱动电路处理更简洁安全。以上电路若电源可高些可大大降低器件负担。
5、它是以光为媒介来传输电信号的器件，A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦， 5脚是负电压输入端，通常使用-5V电压。
6、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
两者的最大的区别是光MOS继电器通常需要消耗更多的功率，而光耦则可以有效地抑制功率损耗。此外，光MOS继电器在电路设计中更加复杂，而光耦则可以更简单地控制电源的开关。
光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。
在一般的隔离电源中，光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。但对于光耦反馈的各种连接方式及其区别，目前尚未见到比较深入的研究。
MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。
隔离作用。众所周知，光耦起到信号的隔离作用。
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光耦PC817好。PC817输出部分的耐压Vce0为35V，主要应用于电源设备上，隔离高低电压的用途。p621光耦信号传输稳定，要求不高的话完全可以代替PC817。
四通道的东芝隔离光耦，贴片的我推荐直流TLP291-4，交流输入TLP290-4 直插的推荐TLP521-4 不是四通道的话那可选择的范围就更大了。
在电子元件中，有一个分类称为光耦，即光耦合器，是以光为媒介传输电信号的电子元器件。型号6N137是一款用于单通道的高速光耦合器，它的内部由一个850nm波长AlGaAsLED 和一个集成检测器组成。
光耦继电器产品优势！敏感度高，操作输出功率小，电磁兼容测试性好：固态继电器的键入作业电压范畴较宽，驱动器输出功率低，可与大部分逻辑性集成电路芯片适配不要加缓冲器或控制器。
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