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MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。
以上partial为偏导算符，打不出来，只能这么写了，u是载流子迁移率，Cox是单位栅电容大小，W和L分别是MOS的宽和长。 扩展资料： 对于真空管，跨导被定义为板(阳极)/阴极电流的变化除以电网/阴极电压的相应变化，恒定板(阳极)/阴极电压。
MOS管的放大能力用gm（跨导）来表示，gm=ΔId/ΔUbe，三极管的放大能力用电流放大系数（β）来表示，β=ΔIc/ΔIb。电路才有放大倍数。不同的接法放大倍数不同。
开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
：5。根据查询相关公开信息显示，因为在较低的电压情况下，宽度越窄，所需要的饱和电压就越高，反之亦然，因此，如果想要在较低的电压情况下实现更高的饱和电流，则需要使用高宽比的晶体管。
MOS管的gm如同三极管的β，是衡量MOS管放大能力的标志之一。 不过话说回来，不是什么时候都需要放大能力强，比如在做开关管的时候，就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换，达到深度饱和的速度要快。
在MOS管中，跨导指MOS管输入端的电流变化与输出端电流变化的比值。具体来说，当MOS管工作在其放大区时，其输出电流随输入电流的变化而变化，并通过其跨导这种指标体现出来。
跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。跨阻（转移电阻），也常常被称为互阻，是跨导的双重性。
m为MOS管的跨导值（即导数），RDS(on)为硅片表面的接触电阻，RCH为沟道电阻。mos阻在mos场效应管（MOSFET）中，因为器件的结构和材料的因素，会产生一些零散的电阻，不在电路设计中考虑，但仍然存在。
应该是场效应管（MOS管）吧。gm跨导是Uds为常数时，Id漏电流的变化量与Vgs变化量的比值。通俗点说就是，Vds不变时，Vgs增加，漏电流就以gm为斜率来线性增加。
如：天恒复合绝缘子FXBW4-110/100 。F--表示复合绝缘子。XB--表示悬式绝缘子，另外 S表示横担 ，ZS表示棒型支柱， P表示针式 ，CG表示干式穿墙套管。W--表示伞型结构，W双层伞，另外如果无W时表示等径伞。
FXBW：表示棒形悬式复合绝缘子。1，复合绝缘子fxbw4-10/70中 各字母及数字意义，其中F表示有机复合材料，XB表示棒形悬式，W表示大小伞（防污型），如果的等径伞不表示。
我国生产的盘形悬式绝缘子有普通型和防污形之分，普通型盘形悬式绝缘子又分为老系列、新系列和钢化玻璃三大类。老系列产品即X系列产品，新系列产品即XP系列产品。
以上各符号P代表针式绝缘子，T铁担绝缘子M代表木担绝缘子C加长型W弯脚绝缘子。符号中的数字表示适应的额定电压等级。它是为了增加爬电距离的。
复合悬式绝缘子FXBW4-10/70，FXBW4-35/70，FXBW4-66/70，FXBW4-110/70，FXBW4-220/100，FXBW4-220/160，FXBW4-330/160，FXBW4-500/180。
1、为什么功率放大三极管的集电极电流大于发射极的电流 不可能的，有可能是因为你的三极管的发射极接了一个电阻进行分流了，所以电流才会变小的。
2、三极管相当于两个二极管相向而连，但是三极管绝不是两个二极管相向而连。
3、首先把电路分为线性和非线性两部分，然后分别列出它们的端特性方程。在线性部分，其端特性方程为VBE=VCC-IB*RB将相应的负载线画在三极管的输入特性曲线上，其交点便是所求的(IBQ，VBQ)。
4、π 型等效电路)。三极管由两个PN结组成，而PN结是有电容效应的.信号频率不太高时(如低频、中频)→结电容容抗很大→可视为开路→结电容不影响放大倍数。
单个三极管可以用 场效应管代替 多个三极管的功能单元可以用集成电路代替，但是都是不能直接代替的，只是功能上的一种代替，需要改变电路。
晶体三极管的代换，可以用性能好的代换性能差的，用参数高的代换参数低的，可用开关管代换普通管：在保证PCM不低于原管的前提下，可用高频管代换低频管，用复合管代换单只管。
用参数相近，同类型的三极管代替。不能用其他电子元件代替三极管。
n1三极管可以用MOSFET或IGBT代替。根据查询相关公开信息显示，MOSFET和IGBT三极管拥有和n1三极管一样的性能，可作为n1三极管的替代品。
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