mos管频率（mos管频率选择）

发布时间：2023-07-28

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1、IGBT的频率一般不会超过100KHz，但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。

2、MOS-FET逆变焊机故障率高易炸管。它逆变频率高，在100-200KHZ，主要用于小功率用于氩弧焊，小功率等离子切割。单管IGBT焊机，主要用于轻工业，民用手弧焊，气体保护焊。IGBT模块焊机，成本高，电源输出特性好。

3、KHZ。逆变器在高频时开关管发热太大，对管子不好，前级驱动频率调到40KHZ合适。逆变器频率调好是不能随意改变的，要想改打开机器，需要找出振荡集成管周围的变频可变电阻，进行调整。

4、按逆变器输出交流电能的频率分，可分为工频逆变器、中频逆器和高频逆变器。工频逆变器的频率为50～60Hz的逆变器；中频逆变器的频率一般为400Hz到十几kHz；高频逆变器的频率一般为十几kHz到MHz。

5、逆变器的效率就是逆变器输入功率与输出功率之比。一般情况下，光伏逆变器的标称效率是指纯阻负载，80％负载情况下的效率。逆变器在工作时其本身也要消耗一部分电力，因此，它的输入功率要大于它的输出功率。

光耦可控硅是光电耦合器和可控硅组成的电路，作用类似于继电器。光电耦合器，简称光耦，是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。

晶闸管，又称可控硅（单向scr、双向bcr）是一种4层的（pnpn）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。锁存器电路。

光耦双向可控硅工作原理光耦（Optocoupler）是一种光电器件，其主要功能是将电信号转换为光信号，再将光信号转换为电信号，从而隔离两个电路之间的电压和电流。它通常由一个发光二极管和一个检测器（例如，晶体管）组成。

光耦可控硅工作原理光耦可控硅是一种可以控制电流的电子元件，它由一个可控硅和一个光耦合器组成。可控硅是一种可以控制电流的电子元件，它由一个可控硅和一个光耦合器组成。

主要起隔离和触发的作用.光耦合器（optical coupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器，简称光耦。光耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用，所以，它在各种电路中得到广泛的应用。

1、漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

2、IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。

3、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。

4、mos管尖峰计算公式为67nC/0.4us=0.1675A。根据查询相关公开资料显示：mos管尖峰计算公式为67nC/0.4us=0.1675A。

5、IRF3205导通内阻小很多（约8毫欧），可以降低损耗，但耐压比540低（3205 60V；540 100V)如果耐压满足的话就选3205。频率最大可到100K，一般选50K较合适。

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