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1、mos管耐压值选择具体如下:MOSFET的耐压,一般根据负载的类型来考虑余量。如果是纯阻性负载,开关频率很低,那么余量可以小一些。
2、选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定,并根据经验留出足够的电压余量。理论上,电压越高,MOS越安全,可靠性也越高。但是,同等内阻下,电压越高,成本越高,栅极电容越大,速度也越慢。
3、漏极-源极耐压Vdss,一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值,D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
4、Vo为输出电压,这一部分为二次侧反射到一次侧的电压 Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起,这一部分与变压器的绕发有关,不太容易计算。MOS的耐压需要大于实际的电压,才不会有击穿的危险。
1、选用25V及以上的MOS主要是由你的应用电压决定,并根据经验留出足够的电压余量。理论上,电压越高,MOS越安全,可靠性也越高。但是,同等内阻下,电压越高,成本越高,栅极电容越大,速度也越慢。
2、很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。
3、降压式DC-DC开关电源 降压式DC-DC开关电源通常使用MOSFET管作为开关元件来实现升压、降压或反相等功能。其驱动电路的主要目的是为了控制MOSFET的开关状态,从而保证DC-DC开关电源的输出电压稳定,效率高。
4、另外,还要做好电路板 及其MOS管的散热。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值,并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力,最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。
MOS管栅极串联电阻的确定方法:当 Rg 增大时,导通时间延长,损耗发热加剧; Rg 减小时, di/dt 增高,可能产生误导通,使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。
这是两个N沟道增强型CMOS管,在其栅极施加正电压将形成导电沟道,MOS管的漏-源极呈现低阻状态,相当于开关接通,电机转动。
用普通小电阻即可,MOS管栅极电流很小,这个电阻主要跟上升/下降时间有关系,一般选择几十欧姆的电阻即可。
若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。
栅极电阻的选取栅极电阻阻值的确定各种不同的考虑下,栅极电阻的选取会有很大的差异。
当与门输出高电平时,前置三极管应该处于饱和状态,输出低电平(接近0电压),MOS管截止。你选择不同的饱和电流,就可以得到相应的电阻的阻值。
作为在开关电源芯片中起稳压作用的mos管,应该具备低电荷、低反向传输电容以及开关速度快的特性,才能使电源较好发挥,详参飞虹电子。
当电源IC与MOS管选定之后, 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
如果是低频开关电路,可以选三极管,高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区,比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。
Vds一般选用600V或者800V,Rds尽量小点的话效率会高点,还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家,比如FairChild、SHIP等啊,差别蛮大的。
v信号控制MOS管实现5V电源的通断,可以选择耐压20V的低压MOS管。相同封装,低压MOS管拥有更低的导通电阻,以及更低的栅源电压。通常仅需2V就可以导通。
选在MOSFET一般有两个标准,一个温度,一个耐压。具体选择还要根据实际的电路情况。比如跟问题温度有关系的参数就包括,通过MOSFET的电流、散热情况、使用环境。电流的计算可以用输入功率除以输入最小电压除以占空比就可以。
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