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1、网上可以查到的。通常这种型号，导通电阻都是毫欧级的，很小。
2、静态漏源导通电阻RDS(on)，在特定的VGS（通常为10V）、结温和漏极电流的条件下，MOS管7N65导通时漏极和源极之间的最大电阻。这是一个非常重要的参数，决定了MOS管7N65开启时的功耗。该参数通常随着结温的增加而增加。
3、RDS(ON)欧姆的意思是场效应管FET漏极D与源极S之间导通时D、S之间的电阻，单位是欧姆，ON表示导通rDS-漏源电阻。
1、N65在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为30V，是一款小功率MOS管。7N65的脉冲正向电流ISM为28A，漏电流(ID)为7A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。
2、这个是场效应管，最大工作电流7安，最高承受电压650伏。
3、不能代换。7N65，是N沟道场效应管7A650V；K15A50是N沟道场效应管15A500V；况且MOS管代换还有很多要注意的，如触发电压、响应时间、导通电阻、跨导…具体参数参考上图。
4、JCS7N65是N沟道场效应管，主要参数是7A/650V，封装形式是塑封TO-220，主要用于开关电源的开关管。可以用MDF11N65B代换，封装形式也是TO-220，主要参数是650V/ 11A 。
是的，IPB60R950C6是一款高性能的功率晶体管，它采用了最新的MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和低开关损耗等优点，适用于高效率的开关电源和逆变器等应用。本文将从其特点、应用、参数和优势四个方面进行详细阐述。
IPB107N20N3G功率MOSFET的基本性能参数 IPB107N20N3G是一款高性能的功率MOSFET，具有低导通阻抗、高开关速度和高耐压等特点。
ASEMI的低压MOS管20N06是一款TO-220封装的器件，其体积大小为约31立方厘米。具体体积大小还取决于该器件的厚度，不同厂家生产的同型号器件可能会有略微不同的体积大小。
本文将对SPW47N60C3功率MOSFET的性能与应用进行分析。我们将介绍SPW47N60C3的基本性能参数，然后从四个方面对其性能进行详细阐述，包括电气性能、热性能、封装与可靠性以及应用领域。
上面罗列的都算是国际大牌子，各自擅长的领域不同吧，像英飞凌的MOS管比较好，ON主要的二三极管比较在行，ASEMI对整流桥比较擅长一些，肖特基也还不错，希望回答对您有所帮助。
测量20N65-ASEMI高压MOS管的好坏，需要使用万用表或测试仪器进行以下测试：首先，设置万用表或测试仪器的参数，将红表笔连接20N65-ASEMI高压MOS管的引脚并将黑表笔连接到MOS管的电源接地处。
是的，ASE20N65SE-ASEMI场效应管中的Vds是指场效应管的漏极-源极电压，即在场效应管中两个极间的电压差，通常用伏特（V）作为单位。
N65是N沟道场效应管（MOS管），650V20A，引脚向下，字面向自己，从左到右依次是G、D、S。
测量20N65-ASEMI高压MOS管的好坏，需要使用万用表或测试仪器进行以下测试：首先，设置万用表或测试仪器的参数，将红表笔连接20N65-ASEMI高压MOS管的引脚并将黑表笔连接到MOS管的电源接地处。
mm 脚间距：54mm 10N65特征：低固有电容。出色的开关特性。扩展安全操作区域。无与伦比的门电荷：Qg=35nC（典型值）。
1、v。一般宽电压范围反激电源AC/85～265V的MOS管耐压选：650V，单电压范围反激电源AC/180～265V的MOS管耐压选：800V。
2、内置MOS管耐压650V，静态功耗100mW，导通电阻Rds(on)典型值15Ω，输出为12V/0.3A。
3、不同型号的耐压不同，功率mos比较高，如irf640，耐压400v。
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