mos管温升计算（mos管的温度系数）

发布时间：2023-07-28

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1、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

2、MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数；如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。

3、海飞乐：是的，导通电阻和产品总体热阻直接影响输出电流，记住一个公式：电流＝(TJ-TA)/RDSON（max）*RTH*a。

mos管温升计算（mos管的温度系数）

1、MOS管的功率，一般是指Maximum Power Dissipation--Pd，最大的耗散功率，具体是指MOS元件的容许损失，可从产品的热阻上求得。

2、功率指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率为描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值就越大。求功率的公式为功率=功/时间。功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。

3、MOS管的最大功耗取决于管子允许的温升，最好功耗确定后，便可在管子的输出特性曲线上画出临界最大功耗线。

4、是在Tj=25度定义的，一般可由Pd=I*I*Rdson得到在实际应用中，PD是指所有功率损耗的和，所以开关损耗只是Pd中的一部分。

5、为了计算开关过程中器件的总损耗，需要计算导通期间的损耗（Eon）和关断期间的损耗（Eoff）。MOSFET开关的总功率可以用以下公式表示：Psw =（Eon Eoff）×开关频率。栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

6、在+12V/25A输出， 60V MOSFET常被用於二次侧同步整流电路中。在此我们将根据理论和实际上电压及电流波形( Voltage and Current Waveform)来探讨他们功率消耗损失(Power Loss)的差异。

1、MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数；如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。

2、因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。m为MOS管的跨导值（即导数），RDS(on)为硅片表面的接触电阻，RCH为沟道电阻。

3、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

4、开关电源中MOS的源(S)极的那个下地电阻是过流保护的取样电阻，它的取值应该与过流设定值和芯片的保护阀值电压有关，一般计算应是：电阻值=芯片保护阀值电压/过流电流设定值。

5、有不同的表现），三极管是一种电流控制电流的器件，导通时基极需要一定的电流（漏电流）；而MOS管是一种电压控制电流的器件，导通时栅极几乎没有电流。

6、仿照普通三极管放大电路的做法，输出电阻等于RC。这里输出电阻等于RS。