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1、可用TOP246---250YN代替。TOP246---250YN产品简介:降低系统成本,提高设计灵活性。因为都是TOP246,所以性能是相似的。
2、top242yn可用TOP245y、TOP246y代换。TOP245y、TOP246y与top243y相比,能过的电流更大,而其它参数是一致的,所以完成能代替,而且会更好。
3、TOP245Y 、TOP246Y与top243y都可以,能过的电流更大,而其它参数是一致的,所以完成能代替,而且会更好。
对于需要较大输出电流的电路,可以使用n沟道增强型MOS管来满足需要。
nMOS晶体管导通是通过沟道里面的电子产生电流的,一般NMOS的源极接衬底,共同接到地,漏极到源极加上正电压,电子从源极向漏极流动,我们取电流的方向和电子流动的方向相反,所以电流是漏极流到源极。
栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样。
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。
源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结(衬底-源)上接零电压,pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡,pn结上总电流为零。 栅源不加电压时,沟道不开启,不会有漏源电流。
防止有电流从衬底流向流向源极和导电沟道,这里是防止衬底与源极的PN结导通,导通了的话,就会有电流从衬底的低掺杂的P型硅片流向源极的高掺杂N+区。
mos管作为二极管原理MOS管,即金属-氧化物-半导体管,是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类:nMOS和pMOS。
只要加适当的电压,将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管,在GS两个脚加正电压,这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通,电流也可以从S到D流过,因为管内有二极管。(MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。
MOS管做二极管都是在大电流场合做反接保护的,内阻低,都是毫欧级的。
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