n沟道mos管导通（n沟道mos管原理）

发布时间：2023-07-29

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1、高1V也是高，高2V高也是高，但是高1V或者2V都不能使MOS管导通，必须要高于MOS管的开启电压，MOS管才能导通，MOS管的开启电压一般都是4-5V左右，你可以查一下这个MOS管的Datasheet。

2、Ugs(th)就相当于刚刚有水，但增加到一定程度，水流的粗细就不再变了），一般来说，MOS管要比较好的导通需要10V左右的电压。

3、理论上，电压越高，MOS越安全，可靠性也越高。但是，同等内阻下，电压越高，成本越高，栅极电容越大，速度也越慢。这就限制了电压不能无限制抬高。这是相互矛盾的情况，根据经验，一般会留出2~5倍的电压余量。

4、NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d一般RDS非常小，在导通时D与S电压几乎一样，G端电压比D端高出一个启动电压，实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。

5、场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道型（上图）和P沟道型（下图），如下面图所示，一般使用N沟道型可带来便捷性。

6、N沟道增强型：当UgsUgs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个正数值。

n沟道mos管导通（n沟道mos管原理）

1、）可变电阻区（也称非饱和区）满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。

2、判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。

3、MOS管的三个工作区域：可变电阻区、恒流区和夹断区。P沟道增强型MOS管的开启电压VT小于零，当VGS小于VT时，管子才导通，漏极-源极之间应加负电源电压。

4、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；为了能正常工作，NMOS管外加的Vds必须是正值，开启电压VT也必须是正值，实际电流方向为流入漏极。

1、只要Ugs大于开启电压，就会在漏极D与源极S间产生导电沟，并且随着Ugs电压增加导电沟变宽，D、S极电阻将越小，当Ugs小于开启电压时，导电沟消失。D、S极阻值变大关断。

2、N--D之间电压应符合耐压极限参数，超出太多当然容易击穿损坏的。具体可查你选用元件手册。

3、由于栅极绝缘程度极高，栅极又有电容特性。因此极容量积累电荷，并存储电荷，形成电压。

4、源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。

5、MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

6、作用不同。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID．。由于导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。场效应管（包括结型和绝缘栅型）的漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。对应电位不同。