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1、这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上,而不应该挂在S极上,也就是说:要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时,gs之间的电路是48V,超过了其最大耐压为20V。
2、当通道的控制电压较低时,通道内的电流较小;当通道的控制电压较高时,通道内的电流较大。MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释:图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。
3、输入控制信号是PWM1 当PWM1是高电平时,Q2导通,Q1也导通,+5V通过QDR1给MOS_1提供(大电流)高电平;当PWM1是低电平时,Q2截止,Q1也截止,Q3因基极电阻R6导通,MOS_1为低电平。
4、当电源IC与MOS管选定之后, 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
5、有个笔误,Q3门极电压012--Q3门极电压12V。这里黙认场效应管的门极开启电压(绝对值)是大于1V且小于11V,即门极在电源电压的高、低电平范围内能使沟道导通或截止、实现逻辑动作,比如是2V。
Ig:MOS栅极驱动电流;Vb:稳态栅极驱动电压;第三种:以IR的IRF640为例,看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。
两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下,MOS管处于稳态,此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电 流)流过器件。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。
mos管是目前需要驱动电流最小的器件之一,5A左右的mos管很容易找的,当然你也可以用大于5A的来代替,一般的普通功率的也就一两块钱,贵的十几元二十几元。
MOS管不只能够做开关电路,也能够做仿照拓宽,因为栅极电压在必定方案内的改动会致使源漏间导通电阻的改动。
导通内阻用工具无法测量,但是可以根据以下公式判断:R=U/I。也即,导通时候电流I可以测量,MOS管压降U可以测量(供电电压减去负载电压)。
脉冲尖峰是其中大量浪涌(或尖峰电流)流过设备的脉冲尖峰。 确定了这些条件下的最大电流后,只需选择可承受该最大电流的设备即可。 选择额定电流后,还必须计算传导损耗。
只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后,还必须计算导通损耗。在实际情况 下,MOS管并不是理想的器件,因为在导电过程中会有电能损耗,这称之为导通损耗。
那么驱动功率W=E*K,电流在电阻上的回路几乎可以忽略,这就为什么说MOS管静态损耗小的原因,可是作为开关管的话,电流大小就跟频率成正比,栅极的寄生电容是并联在G S极的,这个就是回路。
导通内阻用工具无法测量,但是可以根据以下公式判断:R=U/I。也即,导通时候电流I可以测量,MOS管压降U可以测量(供电电压减去负载电压)。
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。
在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。
1、导通内阻用工具无法测量,但是可以根据以下公式判断:R=U/I。也即,导通时候电流I可以测量,MOS管压降U可以测量(供电电压减去负载电压)。
2、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。
3、我们已将要通过器件的最大电流,可以计算出不同温度下的RDS(ON)。另外,还要做好电路板 及其MOS管的散热。雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值,并形成强电场使器件内电流增加。
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