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光耦驱动mosfet（光耦驱动mos管电路详解）

发布时间：2023-07-29
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光耦驱动场效应管做开关

只要电压大于开启电压，就能导通，显然12v应该大于它的导通电压了。可以在R3后用一个电阻接地（分压），使光耦未导通时g栅极电压Ugs小于IRFZ24N的开启电压。。这个接地电阻即所谓的“下拉电阻”，下拉到地，确保截止。

串联电阻不需要计算，取一个大点的数值就可以，因为场效应管输入阻抗很高。也许3V电压太低，不能使场效应管开启。解决方案：(1)在P0到电源之间接一个5K的上拉电阻，看看行不行。

两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。向左转|向右转 场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。

，40A整流开销不小设压降为5V功耗将达5×40×2达一佰多瓦 3，若用交流可控硅功耗为5×40为60瓦左右并无需整流，若改用光耦驱动电路处理更简洁安全。以上电路若电源可高些可大大降低器件负担。

我想用PWM波驱动MOS管,驱动芯片我想用光耦A3120,请问大佬们A3120是如何...

1、它是以光为媒介来传输电信号的器件，A3120光耦是专门驱动场效应管或者IGBT的专用光耦， 5脚是负电压输入端，通常使用-5V电压。

2、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

3、应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。

4、用低端电压和PWM驱动高端MOS管。用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。gate电压的峰值限制。输入和输出的电流限制。通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。PWM信号反相。

光耦隔离与mos驱动的区别

1、两者的最大的区别是光MOS继电器通常需要消耗更多的功率，而光耦则可以有效地抑制功率损耗。此外，光MOS继电器在电路设计中更加复杂，而光耦则可以更简单地控制电源的开关。

2、光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起。

3、在一般的隔离电源中，光耦隔离反馈是一种简单、低成本的方式。但对于光耦反馈的各种连接方式及其区别，目前尚未见到比较深入的研究。

4、MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。

为什么250光耦容易烧坏

另外，光耦烧坏了，查一下是发光二极管端还是光敏三极管端。发光二极管端被烧坏，是限流电阻阻值过小了。而光敏三极管端烧坏，查一下电路，是因为电流过大，还是电压过高击穿的。要查原因，不能怨单片机。

一般光耦器件体积小，pcb光耦的输入、输出间冲孔断开隔离，提高耐压、绝缘强度，正常使用不会烧坏光耦的。

无非是输入端的电流太大，把发光二极管烧了，或者输出端的电流太大，把光电三极管烧了。有很多光耦的型号，要求各不相同。

这种情况可能性比较大的就是工作电流太大了，就是从输出正极到光耦上串的电阻太小，一般来说48V输出从正极要先串个20多V的稳压管再经过一个贴片电阻1K左右来给光耦供电。

光耦不会因为电压高而烧坏。因为光耦是有保险丝的，如果电压高的化，保险丝就会因温度高而烧断，就会防止光耦被烧坏。

光耦驱动MOS管电路问题

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。

低压的时候灯泡里面有啸叫，一般是内部驱动电源上的电感（或者变压器）发出的。电压过低的时候，信号的周期频率接近或落入音频范围。周期性电流经过电感线圈，产生交变磁场，该电感线圈在交变磁场作用下产生振动而发出声音。

MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。

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