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1、半导体应变,是利用半导体单晶硅的压阻效应制成的一种敏感元件,又称半导体应变片。压阻效应是半导体晶体材料在某一方向受力产生变形时,材料的电阻率发生变化的现象,是半导体材料的一种特性。
2、半导体压阻式传感器在受到外力后,自身的几何形状几乎没有什么改变,而是其晶格参数发生改变,影响到禁带宽度。禁带宽度哪怕是非常微小的改变,都会引起载流子密度很大的改变,这最终引起材料的电阻率发生改变。
3、半导体应变片受力时阻值的变化主要是由电阻率的相对变化量引起的。
4、由此可见,半导体的导电性与所含的微量杂质有着非常密切的关系。 (2)电阻率受外界条件(如热、光等)的影响很大。温度升高或受光照射时均可使电阻率迅速下降。
5、半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件,像光电池、光电管和光敏电阻等。
6、它的导电性一般通过掺入杂质原子取代原来的原子来控制。掺入的原子如果比原来的原子多一个价电子,则产生电子导电;如果掺入的杂质原子比原来的原子少一个价电子,则产生空穴导电。
1、电阻焊(又称压力焊)是一种常用的焊接方法,它是利用电流直接流过工件本身及工件间的接触面所产生的电阻热,使工件局部加热到高塑性或熔化状态,同时加压而完成的焊接过程。
2、电阻焊就是通过电极施加压力并释放电流,利用电流通过的焊件接头的电阻热,实现焊接连接的焊接方法。电阻焊包括点焊、缝焊等。
3、还有缝焊 对焊都属于电阻焊。电阻焊,是指利用电流通过焊件及接触处产生的电阻热作为热源将想件局部加热,同时加压进行焊接的方法。焊接时,不需要填充金属,生产率高,焊件变形小,容易实现自动化。
压力大时粉体中空气会少,接触紧密,所以电阻会变化。
电阻是导体本身的一种属性,它不随电压和电流的改变而改变,它只受长度、横截面积、材料和温度的影响。所以你题目中电阻受电压的影响的说法是不正确的。另外有些特殊的电阻,其阻值还受其它环境因素的影响。
与电阻本身的材料有关,因为电阻的大小和温度有关,有些随温度的升高而增大,而有些减小,电流电压的变化会影响电阻的温度,因而会改变电阻的大小。
电压只能改变电流的大小,不能改变电阻的大小,电阻是由材料性质.长度.横截面积决定.一般的电阻随温度的升高而升高,但热敏电阻反而随温度的升高而减小。
请将题目完整的写出来。电阻是物体的一种固有属性,但电阻并不是一定恒定不变的。
你好!电阻在物体本身条件(温度、横截面积、长度)不变的情况下是可以变化的,如光敏电阻,光照强时它的电阻变小;还有压敏电阻,电阻随感受压强的改变而改变。
1、输出负载电阻:RL=V+-10V/0.02 (Ω );注:(1)标准V+24V时负载阻抗为700Ω;(2)RL=250Ω 转换1~5V的电阻 + 两根传输线路总铜阻。
2、变送器不需要串联电阻。校表时可为电流输出串联300~500Ω电阻以检验变送器的负载能力;为了将电流信号转为电压信号,或为了手持通讯器取出信号,可在回路中串联250Ω电阻。
3、电流输出时变送器要稳定电流,当负载电阻过大时电流就无法保持(再好的恒流源也无法在绝缘体中保持电流),所以负载所允许的阻值越大越好,一般24V供电的变送器在 600Ω 左右,你那个800Ω 的估计是允许大于24V供电的。
4、压力变送器输出为4~20mA电流信号,要求负载250Ω,和导线电阻100Ω,都是指最大值。该变送器的总负载电阻不得超过350Ω,其负载上的电压不超过7V。这是因为变送器的最高输出电压受限制的缘故。
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