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提升器件开关比（提高开关电器运行可靠性的途径）

发布时间：2023-07-29
阅读量：26

本文目录一览：

什么是场效应管的开关比?

场效应晶体管中，在源、漏电压不变的情况下，加门（栅）压和不加门（栅）压时测得的源漏电流之比称为“开关电流比”。该量可以用来衡量门（栅）压对导电沟道的控制能力。

提高效率，电路形式有很多种，常见的是在开关管前加入上拉下拉互补管，NPN与PNP管，接法要看你的开关管是什么类型，即是用NPN管作上拉还是PNP，目的是让开关管开的时候瞬间开，关的时候瞬间关，自己先琢磨一下。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，属于电压控制型半导体器件。

场效应管描述的是管子制作工艺的类型，对应的是双极型晶体管，也就是常说的三极管，开关管描述的是管子的工作方式，工作于开关方式，多用于电源，相对应的是放大管，如功放电路。

如何提高开关电源的输入电压范围

1、v开关电源怎么调电压，首先需要将电脑电源的开关的那条线对地短路，这样电源就是处于开机状态，但注意不要上电。

2、：首先，将电脑电源的ON/OFF那条线对地短路，让开关电源一直开机，但是先不要上电。

3、如果条件允许，可以提高输入电压到30V；如果不允许，TL494本身不能提高输出电压的，要是负载对电源要求精度不高，可以采取在输出端另外加上拉电路。

4、总之，这不是坏事，没必要变更设计将它提高，提高了可能反倒影响可靠性。检测交流电压应该在电源的输入端，即高压侧。

5、反激式开关电源首先是把输入的交流电经整流，滤波得直流电压u1，再供给后边的逆变电路。

电力电子器件的缓冲电路有哪些主要作用

1、电力电子器件的缓冲电路(snubber circuit)又称吸收电路，它是电力电子器件的一种重要的保护电路，不仅用于半控型器件的保护，而且在全控型器件(如GTR、GTO、功率MOSFET和IGBT等)的应用技术中起着重要的作用。

2、导通时容易产生过大的di/dt，通过串联电感来抑制。导通时容易产生过大的du/dt，用并联电容抑制。缓冲电路可以增加器件的安全工作面积。缓冲电路可以吸收开关损耗。

3、减小GRI、从饱和转为截止时，c-e极之间的电压变化率。

半导体开关比怎么算

根据桥式，预调平衡，将“功能转换”开关旋至“电压“位置，按下G、B开关，打开实验加热装置升温，每隔2℃测1个值，并将测量数据列表（表二）。

为何Rc的压降=0时，+Ec=12V？因为Ic=0，0*Rc=0，在Rc上没有压降，输出当然为Ec。为何如此？12-6=+6，基极正偏，而且Ib很大，使管子很快饱和。

二极管的瞬态开关特性。电路处于瞬变状态下晶体管年呈现的开关特性称为瞬态开关特性。具体地说，就是二极管由导通到截止，或者由截止到导通的瞬态特性。这个估计需要详细的说明才弄的了去硬之城看看吧或许有人会。

二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。

可使开关元件的关断速度

1、提高器件的开关速度可以提高电路的工作效率和响应速度，减少信号传输的延迟时间，提高电路的稳定性和可靠性。在高速数字电路、通信系统、雷达系统等领域，开关速度的快慢直接影响到系统的性能和工作效率。

2、晶体管的开关速度即由其开关时间来表征，开关时间越短，开关速度就越快。BJT的开关过程包含有开启和关断两个过程，相应地就有开启时间ton和关断时间toff，晶体管的总开关时间就是ton与toff之和。

3、关于绝缘栅类的开关元件其驱动电路的关断速度均需很快，开关元件的开关速度靠调整栅级电阻来调整。其典型驱动电路请参照MOTOROLA公司的专著--TMOS功率场效应管一书，他是采用二极管单向整流，PNP晶体管放电关断的办法，速度很快。

4、功率场效应管（PowerMOSFET）功率场效应管是用栅极电压来控制漏极电流的，属于电压控制型器件，因此，它的第一个显著特点是驱动电路简单，需要的驱动功率小；第二个显著特点是开关速度快，工作频率高。

5、可关断晶闸管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管（GTR），只是工作频率比GTR低。

开关损耗的成因

大功率开关电源频率比较低，这是因为频率越高铁芯损耗越大，还有开关管的开关损耗也是和频率成正比的，频率升高趋肤效应也使线路的等效电阻增加，所以频率过高反而需要更大的散热器，导致电源整体体积增大。

为什么温度越高开关损耗越大？因为温度越高就说明电阻越大，那么在使用的过程中消耗自然会越大，所以说温度越高，开光损耗越大。

在这段时间内，开关管的电流和电压有一个交叠区，会产生损耗，这个损耗即为开通损耗。以此类比，可以得出关断损耗产生的原因，这里不再赘述。

通态损耗。通态损耗是器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时，开关损耗会随之增大而成为器件功率损耗的主要因素。

关键词：提升器件开关比 电容 并联电容

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