晶振与电容（晶振电容计算）

发布时间：2023-07-29

阅读量：24

本文目录一览：

1、按应用特性分类：可分为串联谐振型晶振和并联谐振型晶振。按负载电容特性分类：可分为低负载电容型晶振和高负载电容型晶振。

2、晶振一般可分为：普通晶振、温补晶振（温度补偿晶体振荡器）、恒温晶振（恒温控制晶体振荡器）、压控晶振（电压控制晶体振荡器）等几大类型！晶振由于其化学性能稳定、振荡频率的稳定，谐振频率准确，所以应用范围非常广泛。

3、晶振类型很多，根据不同性能可以分为有源晶振和无源晶振、有源晶振分温补晶振、压控晶体振荡器、压控温补晶体振荡器。无源晶振分两种材质石英晶振和陶瓷晶振。

4、晶振是一种常用于电子电路中的元器件，它能够产生高稳定性的振荡信号，常被用于时钟电路、计数器、微控制器等领域。

如果选择晶振的话，那两个电容值可以选择：30加减10PF左右的（频率在0~33MHZ之间）；如果选择陶瓷晶振的话，电容值可以选择：40加减10PF左右的（频率在2~12MHZ）振荡器应尽量靠近电容。

单片机时钟电路用12M晶振，电容不是计算的，就是晶振需要配置的电容，通常取20P~33P都行。其实，这个电容，都是从第一本单片机书那抄过来的，多少年了，就没变过。

一般的晶振的负载电容为15pF或15pF，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22pF的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。

这个好像没有固定的计算方法，大多靠经验来选择，无源晶振的匹配电容一般最好选择两个不等值的电容，一大一小可以加快起振。在许可范围内尽量选小一些的电容，大些的电容虽有利于振荡的稳定，但会增加起振时间。

外围芯片要什么样的功能用什么样的。I/0的电阻要看你I/O口外接的负载和负载的驱动方式。单片机的输出电流比较小，一般只有几ma，输入电流比较大可以达到20ma，具体要看芯片型号。

频率相对稳定、不停振。这样经验法就可以确定了，一般PCB布线时没法克服分布电容，元器件、线路分布电容值不确定，一般为3到5PF，所以根据经验，这两个负载电容取15到22PF对大多数晶振都可以使其工作在标称频率附近。

晶振与电容（晶振电容计算）

1、电容符号为C，单位法拉，常见的为Uf，作用是滤波、储能、通交流阻直流晶振符号一般为Y，单位为HZ，为各种芯片提供基准时钟频率。电感符号L，单位为亨，常见标识为600R@100MHZ，即频率为100MHZ是表现的阻值为600欧。

2、电容能存储电荷的器件可以做滤波，耦合，旁路等。

3、电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等方面。电感是能够把电能转化为磁能而存储起来的元件。电感器的结构类似于变压器，但只有一个绕组。