三极管igbt（igbt管三个极）

发布时间：2023-07-29

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FGA25N120不是三极管，它是一款可以工作在高电压大功率（1200V、50A）下的N沟道 IGBT。

这是一种高反压（600v）、低放大倍数的NPN型硅材料高频大功率管，最大电流4A。常用于电动自行车充电器中。1200V，25A，125W(工作环境100℃) 1200V，40A，310W(工作环境25℃) 此管常用作电磁炉功率管，叫IGBT管。

V，40A，310W(工作环境25℃)此管常用作电磁炉功率管.叫IGBT管三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号。

三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观如图，大的很大，小的很小。三极管的电路符号有两种：有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。

有源器件是电子电路的主要器件，从物理结构、电路功能和工程参数上，有源器件可以分为分立器件和集成电路两大类。

无需能（电）源的器件就是无源器件。有源器件一般用来信号放大、变换等，无源器件用来进行信号传输，或者通过方向性进行“信号放大”。

有源的就叫主动元件，无源的就叫被动元件，有源的元件，可用来构成电路中的“源”，在这个电路中它处于核心地位。而无源元件，与之相反。三极管、传感器是主动元件，而晶振应属被动元件。这是我的看法。

广义的讲，IGBT也可以说是三极管，是一种特殊的三极管。IGBT的基本结构：绝缘栅双极晶体管（IGBT）本质上是一个场效应晶体管，只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。

IGBT是复合型三极管。是场效管与双极型晶体管的复合管。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT K25T120 和三极管原理不一样。IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。

涉及范围不同：半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。而功率管是三极管分类中的一种分类，所涉及的范围是很小的，只是作为三极管的一个分支。

三极管igbt（igbt管三个极）