可控硅触发条件（双向可控硅触发条件）

发布时间：2023-07-29

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可控硅触发需要的是触发脉冲，不是单一的电压；触发脉冲需要有一定的电压幅值和提供一定的电流，上升沿有一定陡度；触发脉冲需要与主回路同步，施加在控制极与公共端之间。

电压触发就是指温控器两个输出端子之间的电压。由于触发信号是脉冲，通常只能采用示波器来观察。

要求高的基本上就是同步移相触发，也就是50HZ的脉冲，幅度看什么可控硅的了，功率大的一般要求触发电压（幅度）大一些，导通量是和触发角度有关系的。触发相位和被控制电压相位相反当然不能触发了。

每个过零点都要触发一次，按你的驱动电路来说，高有效，每个过零点输出高电平并延时100+uS左右，再变成低电平就可以了，只要有效驱动就可以了。如果不是为了省电，你一直高电平都可以。

1、可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。

2、可控硅导通条件：可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，控制极也要加正向电压。可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。

3、导通条件：关断条件：可控硅晶闸管，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。

4、可控硅获得导通必须具备以下两个条件：(1)阳极电位比阴极电位高，并大于它的起始电压。

5、可控硅导条，阳极高于阴电位1一1．5V，电流大于维持电流。控制极电位高于1V，电流大于触发电流。控制极低于阴极无法导通。

可控硅触发条件（双向可控硅触发条件）

触发导通过程中，门极电阻有变化，但变化并不大，通常不必考虑此变化。晶闸管手册中，通常给出触发电流，厂家保证在此电流下晶闸管一定会被触发。同时也给出门极允许的最大电流，小于此电流晶闸管就不会损坏。

晶闸管触发电路的要求：①、触发脉冲信号应具有足够大的电压和电流一般要求触发电压幅度为4～10V。 ②、触发电路不输出触发脉冲时触发电路因漏电流产生的漏电压应小于0.15～0.2V以避免误触发。

触发部分的设计要看可控端的电压和电流。举个例子：如果可控硅两端的电压最大值是311V，而它的控制电流要在15mA以下，你可以大概选个中间值，就6mA吧。那么用311V/50K=22mA。

可控硅的3种触发方式：强电触发：采用MOC306MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。采用触发二极管电路与这种结构相似。

可控硅的移相触发：可控硅需要在控制极施加触发电压才能导通，在可控硅交流调压电路中，改变触发脉冲相对输入交流波形的位置，可使可控硅得到不同导通角来改变输出电压。

SCR3与周围元件构成普通移相触发电路，其原理这里从略。SCRSCR2选用封装好的可控硅模块(110A/1000V)，SCR3选用BTl36，即600V的双向可控硅。

可控硅导通需要有两个条件，一是在阳极和阴极之间加正向电压，二是在控制极加触发电压，两个条件同时具备可控硅才能导通。

可控硅的4种触发方式：强电触发：采用MOC306MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。