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1、有的,包括硅料,硅片表面均有,但工艺要求硅料在铸锭是必须酸腐保持无金属杂质,硅片切割过程后表面也含有金属杂质,故在植绒前需进行酸腐等。
2、重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质,它们的存在会使PN结性能变坏。硅中碳含量较高,低于1ppm者可认为是低碳单晶。碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。
3、硅片多线切割上有的钢丝一般为 82钢或者92钢。 其切割原料不是做为电极丝,进做为切割过程中,切割材料(SiC)载体, 目前此钢种做的最好的是日本的神户制钢,另外 日本的新日铁也能凑合用。
4、外面大块的是紫铜,里面的一块圆片是钼,钼上一层玻璃样的是硅,硅前面一层很薄的金属片,还有一跟引线,最早是银的,现在估计都不是了。
5、硅片——晶体管 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。
6、硅片介绍:在米粒大的硅片上,已能集成16万个晶体管,这是科学技术进步的又一个里程碑。地壳中含量达28%的硅元素,为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。
1、不仅如此,双向晶闸管还有一个重要的特点,这就是:不管触发信号的极性如何,也就是不管所加的触发信号电压UG对T1是正向还是反向,双向晶闸管都能被触发导通。双向晶闸管的这个特点是普通晶闸管所没有的。 普通晶闸管不能在较高的频率下工作。
2、晶闸管的种类及工作原理晶闸管是一种可以控制电流的半导体器件,它的工作原理是:当晶闸管的基极和源极之间的电压超过一定的阈值时,晶闸管就会导通,从而控制电流的流动。
3、晶闸管的结构 目前大功率晶闸管常用的外形结构有螺栓式和平板式,它具有三个PN结的四层结构,其外形、结构和图形符号如图所示。
4、晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT)、门极关断晶闸管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管(TT国外,TTS国内)和光控晶闸管(LTT)等多种。
5、常用的晶闸管类型有以下两大类:(1)普通型单向导通的晶闸管。该类型的晶闸管工作时,必须由正脉冲信号触发。(2)普通型双向导通的晶闸管。该类型的晶闸管的显著特点是可以正、负脉冲信号触发。
6、晶体闸流管简称晶闸管,也称为可控硅整流元件(SCR),是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性,它只有导通和关断两种状态。
1、可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点,是比较常用的半导体器件之一。
2、可控硅开关也即是俗称无触点开关丶用双向可控硅丶或者单向可控硅为开关器件,具有开关速度快丶带负载能力强,功耗小,无噪声等特点。广泛应用于各种自动化控制电路中。
3、可控硅,简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。
半导体硅晶片(也称为芯片或集成电路)是一种用于制造电子器件的基本组成部分。它是由半导体材料(通常是硅)制成的薄片,上面包含了许多微小的电子元件,如晶体管、电容器和电阻器等。
硅基光电子器件:金属硅被用于制造各种硅基光电子器件,如光电二极管、激光器和光纤通信器件等。这些器件利用金属硅的半导体特性来实现光的探测、发射和传输。 太阳能热发电:金属硅在太阳能热发电中也有应用。
集成电路 它是半导体技术发展中最活跃的一个领域,已发展到大规模集成的阶段。在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管,可在一片硅片上制成一台微信息处理器,或完成其它较复杂的电路功能。
1、钴硅化物CoSi2:钴硅化物作为钛硅化物的替代品最先被应用于从0.18微米到90纳米技术节点,其主要原因在于它在该尺寸条件下没有出现线宽效应。
2、物理特性:金属硅化物通常具有高熔点、高硬度和优异的导电性能。它们可以具有金属的导电特性,也可以具有硅的半导体特性,这取决于具体的化合物组成和结构。
3、金属硅化物特别是电热元件材料(MoSi2),已实现了工业化生产和应用。40年代初就已提出MoSi2等金属硅化物可以作为高温结构材料使用的建议。
4、电热元件用硅化物:金属硅化物作为电热元件是其最早的应用之一。一般,金属硅化物中含硅量愈低熔点愈高,但其抗氧化性下降。因此,通常选用熔点虽低但抗氧化性好的二硅化物制造发热体 。
5、常分成两大类:(1)难熔金属硅化物,指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物,如硅化钛、硅化锆、硅化钽、硅化钨等;(2)贵金属和近贵金属硅化物,如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。
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