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1、三极管能够放大信号必须要具备一定的外部条件，即给三极管的发射结加正向电压（习惯称正向偏置或正偏），集电结加反向电压（习惯称反向偏置或反偏）。
2、对于PNP型管，三极管处于放大的状态的外部条件是Uc＜（Ue-0.5V）、Ub＜（Ue-0.7V）。
3、正确的电源电压：三极管需要正常的电源电压才能正常工作。电源电压过高或者过低，都会影响三极管的放大作用。因此，在使用三极管时，需要选择合适的电源电压，并保证电源电压的稳定性。
4、内部条件：三极管自身放大倍数、工作频率、各项电压电流参数、静态偏置（要使三极管处于放大偏置状态）。
1、三极管能够放大信号必须要具备一定的外部条件，即给三极管的发射结加正向电压（习惯称正向偏置或正偏），集电结加反向电压（习惯称反向偏置或反偏）。
2、对于PNP型管，三极管处于放大的状态的外部条件是Uc＜（Ue-0.5V）、Ub＜（Ue-0.7V）。
3、正确的电源电压：三极管需要正常的电源电压才能正常工作。电源电压过高或者过低，都会影响三极管的放大作用。因此，在使用三极管时，需要选择合适的电源电压，并保证电源电压的稳定性。
外部条件是：电源、输入信号、输出负载。内部条件是：放大倍数β大于1，发射结正向配置、集电结反向配置。其中β是集电极电流除以基极电流得到的倍数。
外部条件是发射结正偏，集电结反偏 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
外部条件：发射极加上正向电压（正向偏置），集电极加反向电压（反向）偏置。拓展知识：双极型晶体管又称三极管，通常简称为晶体管。两种不同极性的载流子（电子与空穴）同时参与导电，故称为双极型晶体管（BJT）。
外部条件：发射结正偏，集电结反偏。内部条件：发射区掺杂浓度较高，基区很薄，集电区面积较大。集电结为何会发生反偏导通并产生Ic，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。
外部条件是：有电源，有负载，有输入信号。集电结反向偏置，发射结正向配置，工作点处于放大区。
1、三极管具有放大电路，要求：外部条件是：电源、输入信号、输出负载。内部条件是：放大倍数β大于1，发射结正向配置、集电结反向配置。其中β是集电极电流除以基极电流得到的倍数。
2、内部条件：三极管自身放大倍数、工作频率、各项电压电流参数、静态偏置（要使三极管处于放大偏置状态）。
3、外部条件：发射结正偏，集电结反偏。内部条件：发射区掺杂浓度高，基底区很薄，收集区面积大。为什么集电极结产生反向部分导电而产生Ic似乎与二极管原理所强调的PN结的单向导电相矛盾。
4、放大电路构成放大的外部条件和内部条件是：基本放大电路必须有输入信号源、晶体三极管、输出负载以及直流电源和相应的偏置电路。直流电源和相应的偏置电路用来为晶体三极管提供静态工作点，以保证晶体三极管工作在放大区。
5、三极管放大的条件是有合适的偏置，也就是说发射结正偏，集电结反偏，组成原则如下：保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏。
6、基区非常薄，掺杂浓度低；c，e区厚，掺杂浓度高 b，e加正向电压，c，e加反向电压；偏置的b，c极电流(Ib，Ic)在放大区要求的范围内。
1、内部条件：三极管自身放大倍数、工作频率、各项电压电流参数、静态偏置（要使三极管处于放大偏置状态）。
2、外部条件是：电源、输入信号、输出负载。内部条件是：放大倍数β大于1，发射结正向配置、集电结反向配置。其中β是集电极电流除以基极电流得到的倍数。
3、三极管能够放大信号必须要具备一定的外部条件，即给三极管的发射结加正向电压（习惯称正向偏置或正偏），集电结加反向电压（习惯称反向偏置或反偏）。
4、三极管放大的条件是有合适的偏置，也就是说发射结正偏，集电结反偏，组成原则如下：保证放大电路的核心器件三极管工作在放大状态，即有合适的偏置。也就是说发射结正偏，集电结反偏。
5、放大电路构成放大的外部条件和内部条件是：基本放大电路必须有输入信号源、晶体三极管、输出负载以及直流电源和相应的偏置电路。直流电源和相应的偏置电路用来为晶体三极管提供静态工作点，以保证晶体三极管工作在放大区。
关键词：三极管处 晶体三极管 三极管放大的外部条件 三极管的放大 二极管原理
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