dfn封装mos管（mos管封装图）

发布时间：2023-07-30

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1、用测电阻法判别场效应管的好坏：测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

2、MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。

3、场效应三极管的型号命名方法第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。场效应管的参数 I DSS — 饱和漏源电流。

4、在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。

5、集成电路芯片上的MOS管为四端元件，除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极。MOSFET电路符号中，从通道往右延伸的箭号方向则可表示此元件为N型或是P型的MOSFET。

6、比较规格书是一种正确的方法，第二就是看你的电路时高频还是低频，看你的电路功率大小，MOS管的驱动电压是否满足，导通内阻是否符合等。

dfn封装mos管（mos管封装图）

V/50A 、30V/80A、45V/50A、30V/50A、30V/150A、30V/20A、30V/50A、100V/13A。封装：TO-2TO-25TO-247。台湾芯片。免费送样。追问海飞乐MOS管，大批量出货中，台湾芯片。免费送样。导通电阻5mΩ上下。

有100V110A，100A，150A，60A，70A，115A，14A，12A，8A，导通电阻：5mR~20mR，封装有DFN5*6，DFN3*3，TO-220，TO-247，TO-3P，TO-263，TO-252。

大致分为：主要的有150V-2A，3A，15A，20A，150V-79A MOS管。其次是105A，150A，150V-310A ，250V-18A，33A，44A，250V-58A MOS管，69A，90A MOS管。

各行业应用较多的是TO-220F（塑封），TO-220AB（铁封），TO-3P，TO-247。因为芯片大小关系，电流小的一般用TO-220，而电流较大会用TO-247的。

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