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主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的提高,MOS管需要承受的电流也随着增强,提供近百A的电流已经很常见了。如此巨大的电流通过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。
首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon(外在硅),他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body。
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。
1、两者的结构原理不同:源极的结构原理:一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。
2、不一样。源极(source)source资源,电源,中文翻译为源极。起集电作用的电极。漏极(drain)drain排出,泄漏,中文翻译为漏极。起发射作用的电极。
3、MOS管三个极,分别是栅极(G)源极(S)和漏极(D)。MOS器件是电压控制型器件,用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区:NMOS管的如果栅压小于阈值电压,MOS管相当于两个背靠背的二极管,不导通。
MOS管的特性:它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上。噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。
开关特性。MOS管是压控器件,作为开关时,NMOS只要满足VgsVgs(th)即可导通,PMOS只要满足Vgs。开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗,导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的,导通电阻都很小。
所以N型s极经常接地,g极常有弱下拉。同理P型管要让它饱和导通或深度截止,S-G的压差也要维持在特定范围。 开关电源的控制芯片除了产生带死区推挽式脉冲外,就是让所产脉冲符合上述要求的电压。
1、关于瞬时极性法,是指电路各点在某时刻的电压变化趋势(上升或下降)。
2、极性有正,负两种,代表电压或电路的增加或减小两种趋势。瞬时极性法只是一种判断分析技巧,定义并不严格。
3、对于有中间抽头的电感,其瞬时极性判断方法:若头、尾任一端交流接地,则中间抽头与另一端的极性相同;若中间抽头交流接地,则头、尾两端的极性相反。
4、如果在交流通路中,电容可以忽略(通常电容量比较大),在用瞬时极性法判断时那就不需要变号。如果在交流通路中不能忽略电容(通常电容量比较小),那么用瞬时极性法判断时就要变号。
5、这么说,C1上处点的瞬时极性为负,C1下处点是接地,不必标符号,容易引起歧义。此时C1上点由于为负,产生向上的瞬时电流,LC环内就产生顺时针电流,C2上也是向上的电流。故,C2下处点的瞬时极性为正。
6、应用瞬时极性法进行反馈类型判断,NPN和PNP没有差别。因为在电路中的各点备注的“+”或“-”代表某一瞬间该点的电压变化趋势,NPN和PNP的电压变化趋势都可能是上升(增高)或下降(降低)的。
1、)P沟道结型场效应管可以当作NPN型晶体管来测量。
2、按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。
3、从极性上分:(双极型三极管)有PNP和NPN三极管。(场效应管)有N沟道和P沟道场效应管。从功率容量上分:可分为小功率管和大功率管。从工作频率上分:可分为低频管和高频管。
4、即表针在回零位置不动;此时即可判断该场效应开关管为好管。
1、测量直流电压要先保证通道的耦合方式处于直流状态,像电池电压的话因为比较低,探头衰减比一般1X即可,垂直档位设置1V或者500mv。然后确保示波器的触发模式处于自动状态。
2、用单次触发,把触发电平位置设高些,避免抓到不想要的波形 然后用光标手动测量就行了。
3、有直接测量法和比较测量法。直接测量法 所谓直接测量法,就是直接从屏幕上量出被测电压波形的高度,然后换算成电压值。
4、用示波器测量功能(Measure)或者光标(Cursor)测量功能进行测试。也可以用垂直量程x单位刻度计算得到电压值。
5、.比较测量法 比较测量法就是用一已知的标准电压波形与被测电压波形进行比较求得被测电压值。
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