双mos管驱动电路（双mos管并联电路）

发布时间：2023-07-31

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1、假设两个管子参数一样。并联时，各点的电压对应相等，两管子电流相等，由电流的表达式知道总的电流等于同样的电压下2W/L的管子的电流。串联时，下面的管子工作在线性区，上面的管子分工作在线性区和饱和区进行讨论。

2、他们也同时截止，D37与D39就呈现断路状态；注意D3D39电压不能低于40V，否则mos管VGS过高，会对管子有损伤。也不能高于50V，否则无法正常开通。最好在R126上并个10V稳压管，电压范围就宽的多了。

3、用隔离变压器驱动的电路我见过实物有6只mosfet串起来工作的。优点当然就是可以工作在更高的电压。缺点是驱动变压器设计和绕制会有点麻烦。而且占空比不能为0或100%。

4、第二步是选择MOSFET的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOSFET能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。

1、PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。

2、电源开关，还是开关电源。用一个开关管的也有，用两个的也有，用四个的也有，用八个的还是有。其实最多的还是用一个开关管的，用3842系列的PWM电路驱动，只是功率稍小，一般用于150瓦以内。

3、如果用二极管隔开两个电源，压降太大。所以就用mos管代替二极管。但是mos管有一个问题，就是内部集成了一个续流二极管，你分析一下电路就知道了，如果只用一个pmos的话，5v的电压会经过mos管直接流进锂电池中。

4、首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。

5、栅极驱动信号振荡的产生机理由功率MOSFET的等效电路可知，3个极间均存在结电容，栅极输入端相当于一个容性网络，驱动电路存在着分布电感和驱动电阻，以上管开通过程为例，当下管V2已经完全关断时，栅源极同电位。

双mos管驱动电路（双mos管并联电路）

用一个开关管的也有，用两个的也有，用四个的也有，用八个的还是有。其实最多的还是用一个开关管的，用3842系列的PWM电路驱动，只是功率稍小，一般用于150瓦以内。两只开关管的有推挽方式和半桥方式。

你图中这个电路在工作电压较高时比较常见。下面晶体管采用正常驱动。上面晶体管可以理解为栅极加浮动高压的源极驱动方式。这种源极驱动方式在某些低压应用也会偶尔见到。我记得仙童最近出的几款芯片有类似应用。

个三极管串起来叫推挽工作。一个导通时另一个截止。另一个导通时这个截止。2对并接，如果输出端也并只是增加输出电流，如果不并，通常用作逆变电路或改变直流电机方向。

这个电路一般是5v和锂电池电源之间切换用的。如果用二极管隔开两个电源，压降太大。所以就用mos管代替二极管。

：这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。2：QP1 栅极需要和漏极电压（vcc）一致时才会关闭，那么R5的存在是必须的，它可以关断QP1。