iormos管的简单介绍

发布时间：2023-07-31

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MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数；如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。

因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。m为MOS管的跨导值（即导数），RDS(on)为硅片表面的接触电阻，RCH为沟道电阻。

导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

开关电源中MOS的源(S)极的那个下地电阻是过流保护的取样电阻，它的取值应该与过流设定值和芯片的保护阀值电压有关，一般计算应是：电阻值=芯片保护阀值电压/过流电流设定值。

1、mos管作为二极管原理MOS管，即金属-氧化物-半导体管，是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类：nMOS和pMOS。

2、只要加适当的电压，将MOS导通就可以了。比如N沟MOS管，在GS两个脚加正电压，这时2A电流从S到D流过却可。如果MOS不导通，电流也可以从S到D流过，因为管内有二极管。（MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D。

3、MOS管做二极管都是在大电流场合做反接保护的，内阻低，都是毫欧级的。

4、MOS管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

5、你问的应该是，MOS管内部的二极管，反向导通。一般MOS管，衬底由于存在流离的电子、空穴。对D S 都有流向，这个流向可以表示为二极管，即体二极管。然而S和衬底是连在一起的，所以体二极管仅表示衬底对D漏极的二极管。

工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。

mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。

在金属中，响应外加场的电子密度非常大，以至于外部电场只能穿透很短的距离进入材料。然而，在半导体中，可以响应外加场的较低密度的电子（可能还有空穴）足够小，以至于场可以穿透到材料中很远。

MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。

mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

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