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超高压mos管（超低压mos管）

发布时间：2023-07-31
阅读量：29

本文目录一览：

什么是垂直导电结构,在MOS管中的知识

1、小功率MOS管是横向导电器件。电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）。

2、MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。

3、MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。

MOS和SBD应用场景去别

当MOS有很大的反向瞬间电流时，该二极管导通，起到保护作用。肖特基二极管 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。

MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

在宽电压的应用场景中，栅极的控制电压很多时候是不确定的，为了保证MOS管的安全工作，很多MOS管内置了稳压管来限制栅极的控制电压。

节能性：MOS管是电压控制性器件，二极管三极管是电流控制性器件，因此MOS管更节能。稳定性：MOS管只有多数载流子参与导电，二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。

现在的单电相机大都采用Live MOS感光传感器，而佳能的单反相机则使用CMOS感光元件比较多。CMOS的画质比最早的CCD稍差，但是功率低，大概只有CCD的1/3，MOS感光元件的画质可以和CCD媲美，但是功率却和CMOS差不多。

封装一般已贴片为主，用量蛮大。高压MOS 一般以500V 600V 650V(这个电压值的比较常规）700V 800V ，现在超结MOS也称COOLMOS的1000V 1200V 1600V，也已经常规化。

高压MOS管和低压MOS管各用在哪些方面,高低压是以400V为分界线吗?_百度...

1、电压不同 高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

2、开关电源，电动马达、照明调光等驱动电路中。在这里应用中，使用的是低压MOS管。低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。

3、场效应管也叫mos管，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

用于AC-DC开关电源的高压MOS管要怎么选?

作为在开关电源芯片中起稳压作用的mos管，应该具备低电荷、低反向传输电容以及开关速度快的特性，才能使电源较好发挥，详参飞虹电子。

Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。

选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

V的交流，一般选600V或900V的MOS。MOS当开关电源使用，电感上的电压为锯齿波形，但是是平滑而不带尖峰的。只是，谁也说不准什么时候会有刺激、电压波动或异常动作，所以才要加一些设计余量。

鱼机后级能不能用高压mos管

1、FTP11N08A耐压75v电流100A，找不到用75NF75也可以，耐压75v电流75A。上述管可在栅极接隔离电阻后多个并联增大功率输出。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

2、如果后级输出500瓦 电解电容用450V100微法的正好 这个不是越大越好。虽说电压高点好，但是考虑实用性以及元器件的条件和机器功率等等因素 建议变压器输出300-350伏就好 不要太高 也不要太低。无极电容用5微法正好。

3、N3055不是MOS管，是大功率三极管。100v15A，115W。一般用在低压电路中做功率放大。用TIP35，D1975，D2155都可以代换。主要考虑电流和耗散功率就可以了。

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