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提高mos管开关速度（加快mos开关速度）

发布时间：2023-07-31
阅读量：24

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有MOS管的开关速度可以大于10M么?求推荐!!!

1、因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。

2、直流输入电阻RGS·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比·这一特性有时以流过栅极的栅流表示·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3、很简单，开关速度取决你驱动电流的大小。如果有驱动电阻，减小驱动电阻就可以增加打开速度，如果没有驱动电阻的话就得更换mosfet了，选择cgs小的，打开速度会更快。关闭的话最好外加电路。

4、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。

5、AC-DC开关电源就是通常的开关电源 问题归结为；开关电源的MOS管要怎么选就简单明了 漏极-源极耐压Vdss，一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值，D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。

6、MOS管就是场效应管，20A的电流别无选择，只能场效应管。场效应管的开关频率一般可达300MHz，也就是微秒级别的，开关电路一般用到毫秒。提高关断速度，只要提高栅极的速度即可。

如何提高MOS管的开启速度

主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。

快速开启电压对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。

由于MOS管导通时的漏源电阻rDS比晶体三极管的饱和电阻rCES要大得多，漏极外接电阻RD也比晶体管集电极电阻RC大，所以，MOS管的充、放电时间较长，使MOS管的开关速度比晶体三极管的开关速度低。

选择专用的MOS管驱动器试试，主要从提高驱动电流，反应速度、驱动信号的上升速度及下降速度等考虑。

好像没有问题。R4通常贴在栅极上安装以防MOS管自激，如果距离较远没有什么用，可以短路。

如何提高MOS管开关速度?

主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。

MOS管就是场效应管，20A的电流别无选择，只能场效应管。场效应管的开关频率一般可达300MHz，也就是微秒级别的，开关电路一般用到毫秒。提高关断速度，只要提高栅极的速度即可。

选择专用的MOS管驱动器试试，主要从提高驱动电流，反应速度、驱动信号的上升速度及下降速度等考虑。

第6脚接地是为了提高电路稳定性。在一些需要较高驱动能力的场合，第6脚会被用来接入一个推挽输出来驱动MOS管，这可以提供更大的驱动电流，进而提高MOS管的开关速度以满足高速切换的需要。

由于MOS管导通时的漏源电阻rDS比晶体三极管的饱和电阻rCES要大得多，漏极外接电阻RD也比晶体管集电极电阻RC大，所以，MOS管的充、放电时间较长，使MOS管的开关速度比晶体三极管的开关速度低。

帮你查了一下，晶体管中能达到10M的大功率器件只有SIT，也就是静态感应晶体管，一般的功率MOSFET管达不到，最高也就3MHz的样子。你这种速度的开关，还不如用高速光电耦合器，比如6N137这种（作开关用）。

如何加快MOSFET关断

主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。

功率mosfet 的三个端口，G极，D极，S极。G极控制mosfet的开通，关断，给GS极之间加正向电压(高电平)，达到导通电压门槛值之后就能导通。同理，给一个低电压(低电平)mosfet就能关断。

MOS管有电容效应，栅极串电阻是调节RC常数，控制管的开通延时，电阻上并联二极管，是为了及时让栅极的电荷释放掉，是管子正常关闭，这种二极管要用快恢复二极管。

OR逻辑来连接多个电源的输出。在ORingFET应用中，MOS管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时。

如果在圆圈位置断开的仍无法关断，可以尝试短路G和S，再看看能否关断；如果仍无法关断，检查 MOS管 D和S是否接反；如果还是不行，确认型号是不是NMOS；当然也有可能是MOS坏了，换一个新的试试。

MOSFET的栅极存在结电容，负压有利于更快的为结电容存储的电荷Qg，提供释放回路，从而加快开关速度。但是过快的开关速度会影响EMI。

为什么mos管具有开关速度快、开关功耗低等特性?

近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管，之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势：输入阻抗高。输入阻抗之高，是普通大功率三极管无法比拟。

MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。

静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管，有门极Gate，源极Source，漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间的阻抗。

可以用作电子开关。简介：mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

关键词：晶体三极管 电阻的 栅极电阻 输入电阻 电阻 提高mos管开关速度 驱动电阻 mos管 三极管的饱和 电容的 mos管开关 电极电阻 高MOS管

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