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mos管电压（mos管电压应力）

发布时间：2023-07-31
阅读量：32

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电力MOSFET驱动电压是多大

MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般5Vdc导通的。

场效应管的驱动电压是2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

一般mos管的饱和电压在10v，也有3-5v的，同一个mos管通过不同的电流栅极电压也不同的。mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。

常说的5vmos管指的是什么电压是5v

1、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。

2、V/5V指的是适应CMOS/TTL电平，不是指电源电压不同。电源电压这个说法不准确。就PSIPICE而言，参数会略有区别。如果你的电路是CMOS/TTL兼容的，那么就可以混用。

3、是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

4、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

5、为什么是5V，业界生产器件，设计选择5V为宜，习惯成标准，CMOS是电压控制器件，栅极没有控制电流，采用导电沟道控制，因而需要的偏置电压小，源漏导通电流小，功耗也低。

如何测量n沟道mos管的开启电压和电导常数

用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOS管N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。

N沟道MOS场效应管好坏的测量方法 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。

方法是：红表笔接G脚，黑表笔接D、S脚，电阻值为∞时，是N沟道管；电阻值为5-l0kΩ时，是P沟道管。表笔交换，黑表笔接G极，红表笔接D、S极，当电阻值为∞时，是P沟道管；电阻值为5～l0kΩ时，是N沟道管。

所以，在零偏置下就有了一薄层N型硅来形成永久的沟道。随着栅极偏置电压的升高，沟道变得越来越强的反转。随着栅极偏置电压的下降，沟道变的越来越弱，最后消失了。这种NMOS管的阈值电压实际上是负的。

MOSFET导通电压是多少?

1、解析：你是指CMOS集成电路中的MOSFET导通电压么？对于CMOS电路来说，导通电压左右，也就是阈值电压是与工艺有关的。例如0.35um的工艺，PMOS的阈值电压为-0.7V左右，NMOS小一些，可能0.6V左右。

2、MOS管的驱动电压一般较低，我了解的大多数在10VDC以下吧，当然和你的型号有关，你可以下载其规格书看看。低压MOS一般5Vdc导通的。

3、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

4、mosfet实际常用的正驱动电压是Vgs一般为12~15V，低于20V，负栅压不超过5V。因为正驱动电压不能太大，具体还要根据实际情况来，如果是Si mosfet建议15V以上，Sic mosfet驱动电压一般要高于Si的。

5、导通电阻，在你将Vgs加到10V，Id达到6A的时候，会有0.21欧姆的源漏电阻 导通电压，在你Vds=Vgs=0V（最小值）的时候（也就是晶体管导通并且处于饱和区时候），Id=250uA。

MOS管的开启电压是什么,是指G极的电压吗。。。如果是哪需要多少V_百度...

1、开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。

3、G极电压根据MOS参数（开启电压），一般2-5V，要让管子起到开关作用，必须给G极开关信号。

MOS管的过驱动电压及阈值电压是多少?

1、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

2、nMOS：Vth=0.7V ，pMOS：Vth=-0.8V。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。

3、MOS的阈值电压，即是所谓的开启电压，不同型号的阈值会有不同的值；而通常情况下还与其耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。

关键词：沟道mos管 电容 电阻 极间电容 n沟道mos管 mos管

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