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1、饱和状态,b极电压0.7v,c极电压0v。
2、三个极分别叫基极、集电极和发射极。它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,两个PN结将三极管分为三个区:基区、发射区和集电区。
3、电压高低关系不好说,各极电压跟管型有很在关系。但根据工作状态总体是两以下几个原则(适合任何型号的三极管):放大状态下:UcUbUe(PNP) 或(UeUbUc(NPN)换句话说就是发射结正偏,集电结反偏。
4、如果电源为E,集电极电阻为Rc,发射极电阻为Re,集电极电流为Ic,则,Uce≈E-Ic(Rc+Re),Ucb≈E-(Ube+IcRe)。这是对NPN型硅管。再看看别人怎么说的。
5、NPN三极管的三级电压的关系是:UcUbUe PNP三极管的三级电压的关系是:UcUbUe 中间那个肯定是基极,且有锗三极管的VBE=0.2V,硅三极管的VBE=0.7V……有了这些基础知识就可以判断。一般用硅的,就是0.7V。
下面是三极管各极电压的计算公式:收集极电压(Vce):Vce = Vc - Ve 其中,Vc为集电极电压,Ve为发射极电压。基极电压(Vbe):Vbe = Vb - Ve 其中,Vb为基极电压,Ve为发射极电压。
三极管各极电压计算公式:Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
Ube为基极和发射极之间的电压=Rbe*Ib。基极流过的电流只有Ib,而基极到地的电压是Ube+URe,除以ib就是从基极看进去的等效电阻Rb。即Rb=(Ube+URe)/Ib=[Ib*Rbe+Ib*(1+β)*Re]/Ib = Rbe+(1+β)Re。
伏左右,硅材料pN极约0.7伏左右,所以三极管基极电压是降不到零的。三极管工作在放大状态时,发射极电压约等于基极电压,修正值是发射结的正向压降。求三极管各极电压计算公式有:Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
从图中可以看出来三极管发射极电流Ib=0.1mA,因此集电极电流为:Ic=β×Ib=0.1β(mA)。所以:Uc=E-Ic×Rc,其中E=12V,Rc=1kΩ。Uc=12-0.1β×1=12-0.1β(V)。
硅管:已知道了基极电流 Ib=(Ub-0.7)/Rb,而集电极电流等于(β*Ib),Uc=(β*Ib)*Rc+Uce Uceo是穿透电压,与导通状态下的Uce不一样。
如果电源为E,集电极电阻为Rc,发射极电阻为Re,集电极电流为Ic,则,Uce≈E-Ic(Rc+Re),Ucb≈E-(Ube+IcRe)。这是对NPN型硅管。再看看别人怎么说的。
Ubc=2-0=2V Ube=2-6=-4V 实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简单,BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通,故Ube只能是0.7V左右,另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。
此时也很有可能依然是UCUBUE(UE=0V,UB=0.7V,UC=1V,满足UCE=1V,刚好饱和,NPN管)。
Uce=Ube-Ubc NPN型三极管来说,Ubc是负数。Uce,Ube是正数。
即:Uce=Uc-Ue,其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”(即参考点)电压。正常工作时,基极电压Ub比发射极电压Ue高一个发射结压降Ube,所以:Ub=Ue+Ube,其中Ube是三极管的属性,硅管约0.7V、锗管约0.2V。
NPN三极管的三级电压的关系是:UcUbUe PNP三极管的三级电压的关系是:UcUbUe 中间那个肯定是基极,且有锗三极管的VBE=0.2V,硅三极管的VBE=0.7V……有了这些基础知识就可以判断。一般用硅的,就是0.7V。
c1815三极管GR938:C1815是日本公司生产的NPN三极管。其耐压值为45V,Pcm为450mW,Icm为150mA。后面的GR是英语单词Green(绿色)的缩写,其用来表示管子β值的大小(以前国产的三极管通常在管子顶部点上色点来表示β大小)。
接近或等于0伏的是发射极E,小于电源电压,大于0.7伏的是基极B,当交流信号为负时,B极也可以是负电,比如说开关电源中的开关管。PNP型三极管则相反。属于此范畴中的基本判断三极管工作正常。
关键词:三极管的电压关系 三极管发射极 电阻 三极管各极 三极管三个极 锗三极管 等效电阻 判断三极管 电极电阻 三极管的工作电压 射极电阻 三极管基极电压 硅三极管
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