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1、跨导外推法基于FET的特性曲线,通过测量FET的输出电流和输入电压之间的关系来确定阈值电压。
2、示波器测电压的方法:示波器钩针接被测电压,黑色的夹子夹“被测电压的地”(使示波器和被测电压有一个公共的参考点)。示波器的探头通常有“×1”和“×10”两种衰减形式,“×1”情况下不进行衰减。
3、在波形图上测量到ID=0.1uA时,VGS=0.356V,那么VT(ci)=0.356V;ID=1uA时,VGS=0.467V。在波形图上测量到gm(max)=26u,此时VGS约为0.675~0.679V,就取。
4、如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量,FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。
5、把红笔接到MOS的源极S上,黑笔接到MOS管的漏极上,好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
1、因为MOS管有体二极管,所以:如果是NMOS,用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚,正极是S极,负极是D极,剩下的是G极。
2、判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极。
3、判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。
4、用测电阻法判别无标志的场效应管:首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。
5、先对MOS管放电,将三个脚短路即可;首先找出场效应管的D极(漏极)。
1、用测电阻法判别无标志的场效应管: 首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。
2、粗略测量:设计一个电阻串联MOSFET的电路,给一个恒压源。
3、先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极,黑表笔依次接触另外两个电极,分别测量它们之间的电阻值,若测出均为几百欧低电阻时,则红表笔接触的电极为基极b,此管为PNP管。
4、MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ,实际上,线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数; 如果是电流饱和区,则交流电阻近似为无穷大,直流电阻也是很大的。
5、主要有两种类型:结型场效应管(JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。
6、MOS管有3个脚,分别为g栅,s源,d漏(不管是NMOS还是PMOS),g栅极与s和d是隔着氧化物的,所以gs间和gd间的电阻是无穷大的,而ds是可以互换的,那个电压高那边就是漏极。
1、场效应管可以用作电子开关。方法 主板的场效应管,先拆下来 用数字表检测,红笔接在中间那只脚,黑笔触左边那只,大概400多到800多都是正常的。
2、检测三极管(使用二极管档)根据上述检测二极管的方法,来检测三极管。
3、若没有读数,则将表笔反过来再测一次;如果两次测量都没有示数,表示此发光二极管已经损坏 稳压二极管:有黑圈的一端为负。用表测时,若有示数,则红表笔所测端为正,黑表笔端为负;若没有,反过来再测一次。
4、现象:正常电压开机长鸣 方法:更换R15:1W-330K±1% 不检锅 方法:拨掉排线(功率板到控制板),测量R16:1W-330K±1%;R1R18:1W-240K±1%是否正常,更换不正常电阻。
1、要求测得的电阻越大越好。e-c间的阻值越大,说明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,说明被测管的ICEO越大。
2、首先将表拨至测量电阻Rxk档,并将表笔短路调零校正。先测出B极。如图:(1)、用任意一表笔接触三极管的一脚,测量另外两个脚,一直测量到两组阻值基本相符(一般该阻值为2K左右),这时该极为B。
3、三极管好坏的检测,用指针式万用表测试比较直观:先测出B极,将万用表拨置R×k档:(1)、用任意一表笔接触三极管的一脚,测量另外两个脚,直到两组阻值基本相符(一般该阻值为2K左右);这时该极为B。
4、判断三极管的好坏可以通过直流参数测量法、交流参数测量法等其他测量方法。直流参数测量法是一种常见的三极管测量方法,通过测量三极管的电流和电压参数来判断其工作状态和品质。
1、用测电阻法判别无标志的场效应管: 首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。
2、设计一个电阻串联MOSFET的电路,给一个恒压源。
3、对于一只型号标示不清或无标志的三极管,要想分辨出它们的三个电极,也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。
4、粗略测量:设计一个电阻串联MOSFET的电路,给一个恒压源。
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