mos管势垒（mos管图示）

发布时间：2023-08-01

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1、用测电阻法判别结型场效应管的电极：根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

2、第一步：将万用表置于二极管档测量，用红表笔接控制器负极，黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线，读数约在500左右（数字万用表），三次读数应基本一致。

3、如图1d所示。平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。

4、红左，黑中、右无穷大黑左，红中、右无穷大红中，黑右无穷大；黑中红右显示530（左右）。其实场效应管三极管很好判断：有字面朝上从左到右依次为：G、D、S，有些管相反：S、D、G。

漏源电压是指MOS管漏极和源极之间的电压差，当漏源电压加倍时，MOS管的输出电压也会加倍，漏源电压对MOS管的输出电压产生影响主要是因为漏源电压越高，MOS管的扭曲程度越大，输出电压也会越高。

当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会形成channel。当电压差超过阈值电压时，channel就出现了。MOS电容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反转（VBG=3V），（C）积累（VBG=-3V）。

这两个假设都是同一结果，可以形成回路。由于VMOS管的漏源间存在本体二极管，N沟道D=K， S=A，P沟道 D=A，S=K。所以反向加上电压后，本体二极管正向导通，会将你说的负电压钳位在0.6~1V左右。

mos管是场效应管，是表面器件，对于增强型mos管是需要衬底反型形成导电沟道才能导电。上图为nmos管结构剖面图。当nmos管G不加电时，在漏源之间加电压，（漏接高源接低）。那么对于D端来看，衬底P和D端的n 是pn结反偏。

下面的运放输出肯定是电压。负反馈特性，最终必然使7点的电压恰好使Q7维持这样一个电流，该电流的大小等于5点的电压除以R7，这是负反馈的特性使然。

Q1Q2是两个反相器，即Q1Q2必须工作在开关状态，饱和导通或截止。所以，Q1输入低电平时，Q3也是低电平输入，则Q3 P沟道场效应管会导通，那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态，应该会导通。

附图是引用知道里面的一个问题的图。图中L1的左边部分的元件就构成了一个MOS开关电路。不过这个电路是高电平导通的，你只需要把Q5换一个N-MOS就行了。

另外，当1，2闭合时，电压为零，电容C42的电压也会逐渐降低，从而导致MOS管没有G极电压而断开，循环下去，电路自己就低频震荡了。通过这部分判断，电路只能使用脉冲方式工作。

不过可以看出U2的2脚是PWM也就是脉宽调制，信号输入有这个脉冲信号给定后经过U2处理控制Q1MOS管的开关导通频率，从而触发发光二极管的亮灭。

你分析的都对啊！VGS标负值，不是对地而言，而是相当于使用万用表测量——正表笔接G，负表笔接S所测得的读数。如果没有RP、R2提供一个比S小的电压给MOS管的G极，那么MOS管是关闭的。

mos管势垒（mos管图示）