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一般加个驱动芯片就好了。把DSP输出信号送驱动芯片,让驱动芯片产生大电流去驱动MOSFET。TL494就是典型的此类芯片,当然该芯片不一定适用于你的设计,只是抛砖引玉的举个例子哈。
应该要的,一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高,因为S-D极电容比较大,电流小,一下子充不满,达不到驱动的电压的。
采用MOS的驱动芯片就可以了。例如我常用microchip公司的MIC4424(两路4A)、MIC4422(单路9A)。给驱动芯片用12V供电,DSP3V供电。然后DSP和驱动芯片共地。当然,要考虑DSP的输出特性,考虑是不是需要加下拉电阻什么的。
A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为1V~4V,标称3V;7V的锂电池,饱和是2V,选择3V工作的单片机,足够驱动了。
如果本来就共地没必要隔离;如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好,通过专门的驱动IC(我忘了,好像是IRF做的)驱动变压器,时间匹配是最好的。
A。选用TLP250 光耦既保证了功率 驱动电路与P W M 脉宽调制电路的可靠 隔离,又具备了直接驱动MOSFET 的能 力,使驱动电路特别简单。
TLP只是一个驱动器,驱动的高电压来自Vcc输入,和加不加自举电容没有必然关系。如果你的Vcc电压能保证上管MOS管在导通时持续导通,就没必要加。
不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路,有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。
1、VCC 和 VO 终端可能被绑到一起来实现惯常的光敏达林顿晶体管放大器操作。基极接入终端实现对增益频段的调节。6N139 适用于 CMOS、LSTTL,或其它低功率应用中。
2、TLP627是光耦 光耦种类信息:光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦,另一种为线性光耦。 检测示意图非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的,这类光耦适合于开关信号的传输,不适合于传输模拟量。
3、三极管输出的光耦; 〔1〕按输出结构分有三种:无基极引线光耦,有基极引线光耦,双三极管的达林顿光耦。
4、t光耦abcd的区别是一个是一个是有基极引线光耦,另一个双三极管的达林顿光耦。
5、til113光耦用法:一脚二脚可以内接发光二极管。til113引脚功能是,一脚二脚内接发光二极管,三脚四脚内接三极管的集电极和发射极。
首先MCU IO的高电平输出能力要足够才能驱动LED,这要求必须是强上拉型IO,否则要加缓冲驱动,最好采用负逻辑设计。R41要根据驱动电压来正确选择,LED的工作电流可取1-5mA。
如果没有分压电阻,反相端也接在地上,运放工作不了,输出是一条直线 可以,如果你想要一个5V电平可以在放大器的最后用一个电阻和一个7V稳压管串联中间接ARM。
因为让光耦管工作,可以是R54和光耦串联,可以是R5R55的分压后让光耦工作;这里的稳压管仅仅是起着电平移位降压作用,电阻同样起到降压作用,那么就是用稳压管来分担电阻的功耗。
是的,稳压管的电压和电阻的电压之和等于电源电压。顺便说一下,稳压管的电流和输出的电流之和等于电阻上的电流,电阻阻值的大小要合适,太大了稳压管电流太小,稳压质量不好,太小了会烧坏稳压管。
因为7812输入最高电压30多伏,最低电压最好大于15V。如果是50V为输入电源,需要在50V的+极到7812的第一脚(输入脚)之间接一只5W18欧的限流电阻。
是的,这个15V就表示该稳压管的稳定电压是15V。并不是所有的图纸都会这样标,有些只给出型号或者代号,需要查找对应型号管子的稳压值。输入电压大小,取决于稳压管的功率,或者说,稳压管具有稳压功能时,允许的电流变化范围。
1、不一定,主要看Vgs电压,要是高侧mos的Vgs电压能满足要求就不需要加自举电路,自举电路只是在单电源供电时,高侧Vgs打不到控制要求而做的,当使用隔离电源控制就不需要自举。
2、使用p mos管,可以解决你这个驱动问题。或者使用驱动变压器,但是会增加成本并且体积增大。
3、这样的buck电路开关管要用P管,驱动还得加加速电路。用N管得有电压自举电路,否则开关管不能饱和导通,不用自举也行,但得用变压器驱动。
4、buck电路,为了驱动高电压端的MOS管,通常使用自举电路。其原理是利用二极管的单向导通,以及电容充放电特性。不断提高自身电位,从而获得可驱动电压。
5、举个简单的例子:有一个12V的电路,电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压,这个电压怎么弄出来?就是用自举。
1、单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻,发射极接地,集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作,低电平时关断。
2、真正要考虑的是电池的负载能力,10A的瞬态输出,及3A的持续输出,电池负载能力不足的话,电压会瞬间跌落,很可能低于3V。
3、例如PWM信号),也要给驱动级(MOS管的推动电路)传送电能。常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC,这样可以降低成本。
4、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
5、有专用的驱动芯片如IR2103 如果只是单个MOS管的普通驱动方式 像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。
关键词:达林顿光耦 拉电阻 mos管驱动 电容 下拉电阻 tlp250驱动mos管 自举电容 mos管 光耦 电阻 驱动mos管
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