p沟道mos管导通（mos管n沟道和p沟道的应用）

发布时间：2023-08-01

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1、如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

2、对PMOS增强型管是正确的，耗尽型则不同。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动。

3、原因就在于它的源极S是连接在VDD上，而漏极D是接地的。通过输入端两个串联电阻的分压，栅极G的电位是低于源极的，这样就使得Ugs＜0，适当调节分压电阻值，可达到Ugs≦UTP，PMOS管就导通了。

4、P沟道增强型场效应管的导通条件是栅极电位低于漏极电位。栅极电位比漏极电位低得越多，就越趋于导通。一般低于漏极电位15V就可以完全导通。压差太大就会形成栅极击穿。想关闭就要把栅极电位拉回漏极。

MOS管导通是在其栅极（G）端施加高电平，而源极（S）和漏极（D）之间的电势差超过了临界电压时发生的。因此，如果我们想让MOS管导通，需要将G端连接到高电平电源。

NMOS（ AO4614 ）的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适宜用于源极接地时的情况（低端驱动），只需栅极电压抵达4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适宜用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低。只是，因PMOS电路工艺简单，价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用PMOS电路技术。

增强型PMOS管的导通条件是Ugs≦UTP≦0。那么这个PMOS放大器为什么可以用正电压VDD呢？原因就在于它的源极S是连接在VDD上，而漏极D是接地的。

PMOS管的主回路电流方向为S到D，导通条件为VGS，有一定的压差，如-5V（S电位比G电位高）。NMOS英文全称为N Metal Oxide Semiconductor，意思是N型金属氧化物半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。

p沟道mos管导通（mos管n沟道和p沟道的应用）

完全可以让MOS处于开通状态，不过前提是你MOS的导通内阻要很低，并且散热一定要好，要不然很难工作。

我只要再28VOUT端加上大电容后，不管G极电压变化MOS管一直处于导通状态。如果28VOUT端不加大电容后，MOS管随G极电压变化能起到开关作用。请问这大电容到底影响了什么东西。

电路逻辑有问题。P沟道FET管必须加正电压才能截止，而你这个电路的正电压必须由导通的FET供应，如果管子截止了，24V电源就不再存在，管子就会重新导通………最后维持在半通不通状态。如果改用独立电源控制它，问题就能解决。

这个是P沟道mosfet，它的ugs(th)是一个负数值，现在给个0V，管子肯定不导通，也就是DS之间没有通路，输出就是电源电压。

P沟道MOS管开关电路图：MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

P沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个正数值。N沟道耗尽型：当UgsUgs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个负数值。

MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。

首先要进行MOSFET的选择，MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。