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当然接反也没有影响,就是波形显示的时候,会在示波器零电平的下方。打开示波器测量项的平均值,就可以看到直流电压值。
你的高频炉应该是中频加热炉,驱动板是反馈信号放大作用,输出脉冲信号触发可控硅振荡电路工作,要用示波器测试波形,如果测脉冲波形直接找到连接可控硅控制极G端,另一测试点为C端。
mos两端的电压有一个下降的过程,流过的电流有一个上升的过程,在这段时间内,mos管的损失是电压和电流的乘积,叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多,而且开关频率越快,损失也越大。
两个图都不对。如果没有那个滤波电容的话,次级波形应该把整流波形的横坐标上移,使得坐标上下波形的面积相等,以保证直流分量为0才对,如图。
常见的波形就有两种一种是正弦波,另外一种是方波。
导通是有电阻的,它又不是超导材料,连“导体”都不是,而是“半导体”,只要有电流流过,就有电压降,当电流达到某值,超过这时Vgs控制电压能够产生的电流量,才进入饱和区。
PMOS 管的VGS 同样也有正和负。MOS 管的VGS一般不常采用负电压关断,但是如果采用负电压,可以增加关断可靠性,还可以提高VDS 的耐压承受力。比如说+12V 是开启MOS, -5V 是关闭MOS。
mosfet放大器电路工作在放大区就是栅极正偏,Vgs大于Vth,而Vds小于Vgs-Vth,这时就是可变电阻区,也称为放大区。饱和区就是栅极正偏,Vgs大于Vth,而Vds大于Vgs-Vth,这时沟道夹断,就是饱和区。
中间的Uds=Ugs-Ugs(th),就是那根预夹断线(如果画在图上就是一根曲线),对于增强型N_MOSFET而言,线的左边就是可变电阻区,右边是恒流区,最底下一片是夹断区。
测量直流电压要先保证通道的耦合方式处于直流状态,像电池电压的话因为比较低,探头衰减比一般1X即可,垂直档位设置1V或者500mv。然后确保示波器的触发模式处于自动状态。
将示波器探头与输出端连接,看示波器上是否有显示数据波形。
用示波器测量峰到峰的电压,一般按以下步骤进行:(1)连接示波器 (2) 按说明书接通示波器。(3) 用校准信号校正Y轴增益。(4) 输入选择在交流位置,将探头连接被测信号。
你的高频炉应该是中频加热炉,驱动板是反馈信号放大作用,输出脉冲信号触发可控硅振荡电路工作,要用示波器测试波形,如果测脉冲波形直接找到连接可控硅控制极G端,另一测试点为C端。
用示波器测流过mos管电流方法。将探头地线绕在承载待测电流的导线上,然后将接地夹连接到探头尖端。产生的电压再次与电流的变化率成正比测量。
你的高频炉应该是中频加热炉,驱动板是反馈信号放大作用,输出脉冲信号触发可控硅振荡电路工作,要用示波器测试波形,如果测脉冲波形直接找到连接可控硅控制极G端,另一测试点为C端。
地线夹300V的地啊,不过,被测开关电源必须用1:1的隔离变压器,不然示波器会烧。
这种电路框图看不到具体元器件的连接关系,也看不出地在哪?想测驱动波形就测MOS管栅源之间的电压脉冲信号就OK。
示波器和电源测量 整个开关设备的电压可能很高,而且是“浮动的”,也就是说,不接地。信号的脉冲宽度、周期、频率和占空比都会变化。必须如实捕获并分析波形,发现波形的异常。这对示波器的要求是苛刻的。
反向电压按照图片上所示的方法测量即可,正向电压则相反;电流波形最好用电流探头测试,用电压探头测试误差较大;希望能帮到你。
其实想要捕捉瞬间信号波形,有两种方法可以实现,一种是断电捕捉的方法,另一种就是调试测试捕捉方法。
好多示波器都有测量电压的功能,可以选择测量平均值,VPP, 最大值,最小值。要想手动捕捉,可以选择触发方式为上升沿触发,或者将时间调的很大,比如1s,然后捕捉,捕捉到以后再将时间调小。
按“Aoto”键,一键捕捉被测信号波形,稳定显示并分析。关键有3个 volts/div:调节幅度;time/div:调节疏密程度;level:调节波形稳定,现在大多数示波器都可以锁定。
波形亮度;合适的垂直和水平齿轮(包括偏置);足够的采样率以防止欠采样 波形稳定性主要取决于触发方式、触发电平、触发释放等触发相关调整。
梯形是驱动速度不足的现象,可以在G极电阻并一个反向二极管加速关断,或在G极加一个图腾。
mos管gs波形是一个正弦波,因为mos管的控制是通过栅极电压来实现的。
也就是说:要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时,gs之间的电路是48V,超过了其最大耐压为20V。三极管的基极电流一般只有1mA就可以让其饱和导致了。具体的,你可以看一下这个三极管的规格书。
刚上电时,变压器蜂鸣逐渐加重,MOSFET两端电压反常,波形如下图,而且测得的周期(约75us)与设计值(40kHz,25us)差了3倍。这是过载了,芯片进入了降频保护模式。
理论上MOS管可以由N颗并联,实际上MOS管并联多了容易引起走线很长,分布电感电容加大,对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。
电阻是用来保护MOS管,主要是限制驱动电流的作用。然后4148是用来加快关断速度的。
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