行业资讯

行业资讯

通过我们的最新动态了解我们

首页 行业资讯
返回上一级

mos管的波形（Mos管的波形图）

发布时间：2023-08-01
阅读量：27

本文目录一览：

怎么看初次级mos波形同不同步

当然接反也没有影响，就是波形显示的时候，会在示波器零电平的下方。打开示波器测量项的平均值，就可以看到直流电压值。

你的高频炉应该是中频加热炉，驱动板是反馈信号放大作用，输出脉冲信号触发可控硅振荡电路工作，要用示波器测试波形，如果测脉冲波形直接找到连接可控硅控制极G端，另一测试点为C端。

mos两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，mos管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

两个图都不对。如果没有那个滤波电容的话，次级波形应该把整流波形的横坐标上移，使得坐标上下波形的面积相等，以保证直流分量为0才对，如图。

常见的波形就有两种一种是正弦波，另外一种是方波。

为什么MOS管VDS和输入脉冲VGS波形是相反的?

导通是有电阻的，它又不是超导材料，连“导体”都不是，而是“半导体”，只要有电流流过，就有电压降，当电流达到某值，超过这时Vgs控制电压能够产生的电流量，才进入饱和区。

PMOS 管的VGS 同样也有正和负。MOS 管的VGS一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高VDS 的耐压承受力。比如说+12V 是开启MOS， -5V 是关闭MOS。

mosfet放大器电路工作在放大区就是栅极正偏，Vgs大于Vth，而Vds小于Vgs-Vth，这时就是可变电阻区，也称为放大区。饱和区就是栅极正偏，Vgs大于Vth，而Vds大于Vgs-Vth，这时沟道夹断，就是饱和区。

中间的Uds=Ugs-Ugs(th)，就是那根预夹断线（如果画在图上就是一根曲线），对于增强型N_MOSFET而言，线的左边就是可变电阻区，右边是恒流区，最底下一片是夹断区。

如何用示波器看mos管工作情况

测量直流电压要先保证通道的耦合方式处于直流状态，像电池电压的话因为比较低，探头衰减比一般1X即可，垂直档位设置1V或者500mv。然后确保示波器的触发模式处于自动状态。

将示波器探头与输出端连接，看示波器上是否有显示数据波形。

用示波器测量峰到峰的电压，一般按以下步骤进行：（1）连接示波器 （2） 按说明书接通示波器。（3） 用校准信号校正Y轴增益。（4） 输入选择在交流位置，将探头连接被测信号。

你的高频炉应该是中频加热炉，驱动板是反馈信号放大作用，输出脉冲信号触发可控硅振荡电路工作，要用示波器测试波形，如果测脉冲波形直接找到连接可控硅控制极G端，另一测试点为C端。

用示波器测流过mos管电流方法。将探头地线绕在承载待测电流的导线上，然后将接地夹连接到探头尖端。产生的电压再次与电流的变化率成正比测量。

开关电源的驱动芯片内置MOS管如何测得脉冲波形?

你的高频炉应该是中频加热炉，驱动板是反馈信号放大作用，输出脉冲信号触发可控硅振荡电路工作，要用示波器测试波形，如果测脉冲波形直接找到连接可控硅控制极G端，另一测试点为C端。

地线夹300V的地啊，不过，被测开关电源必须用1：1的隔离变压器，不然示波器会烧。

这种电路框图看不到具体元器件的连接关系，也看不出地在哪？想测驱动波形就测MOS管栅源之间的电压脉冲信号就OK。

示波器和电源测量 整个开关设备的电压可能很高，而且是“浮动的”，也就是说，不接地。信号的脉冲宽度、周期、频率和占空比都会变化。必须如实捕获并分析波形，发现波形的异常。这对示波器的要求是苛刻的。

反向电压按照图片上所示的方法测量即可，正向电压则相反；电流波形最好用电流探头测试，用电压探头测试误差较大；希望能帮到你。

mos管示波器捕捉多个波形

其实想要捕捉瞬间信号波形，有两种方法可以实现，一种是断电捕捉的方法，另一种就是调试测试捕捉方法。

好多示波器都有测量电压的功能，可以选择测量平均值，VPP， 最大值，最小值。要想手动捕捉，可以选择触发方式为上升沿触发，或者将时间调的很大，比如1s，然后捕捉，捕捉到以后再将时间调小。

按“Aoto”键，一键捕捉被测信号波形，稳定显示并分析。关键有3个 volts/div：调节幅度；time/div：调节疏密程度；level：调节波形稳定，现在大多数示波器都可以锁定。

波形亮度；合适的垂直和水平齿轮（包括偏置）；足够的采样率以防止欠采样 波形稳定性主要取决于触发方式、触发电平、触发释放等触发相关调整。

MOS管GS端并联电阻后驱动波形是什么样子?

梯形是驱动速度不足的现象，可以在G极电阻并一个反向二极管加速关断，或在G极加一个图腾。

mos管gs波形是一个正弦波，因为mos管的控制是通过栅极电压来实现的。

也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。三极管的基极电流一般只有1mA就可以让其饱和导致了。具体的，你可以看一下这个三极管的规格书。

刚上电时，变压器蜂鸣逐渐加重，MOSFET两端电压反常，波形如下图，而且测得的周期（约75us）与设计值（40kHz，25us）差了3倍。这是过载了，芯片进入了降频保护模式。

理论上MOS管可以由N颗并联，实际上MOS管并联多了容易引起走线很长，分布电感电容加大，对于高频电路工作产生不利的影响。下面以4颗为例说明MOS管的应用。

电阻是用来保护MOS管，主要是限制驱动电流的作用。然后4148是用来加快关断速度的。

关键词：触发可控硅 电阻 电阻的 电容的 可控硅 并联电阻 可变电阻 滤波电容 mos管

上一篇：电线杆对窗（电线杆对窗户多远没事）下一篇：光耦双向（光耦双向隔离）
返回列表
相关新闻

一点销电子网

Yidianxiao Electronic Website Platform

Tel：0512-36851680
E-mail：King_Zhang@Lpmconn.com
我们欢迎任何人与我们取得联系！
请填写你的信息，我们的服务团队将在以您填写的信息与您取得联系。
*您的姓名
*电话
问题/建议
承诺收集您的这些信息仅用于与您取得联系，帮助您更好的了解我们。