mos管的转移特性曲线（mos管转移特性曲线分析）

发布时间：2023-08-01

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mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。

MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。而当PN结处于正向偏置状态时，其电阻非常小，电流可以通过PN结流过。

工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。

首先确认选择的是无源晶振，那么要根据芯片方案所需晶振负载参数，选择对应负载电容参数的晶振。若负载电容选择错误，会导致晶振输出频率严重偏移目标频率，容易造成系统开机不良。

频率的选择一般要看产品的具体需要。一般的晶振是频率越高，频差越大价格也就越高。但并不是频差大的就更好，要看是否符合电路板的需求。晶体振荡器常用的电源电压有：8V、5V、3V、5V。

选择晶振，要根据你的单片机工作频率和工作要求来选择，例如89C51单片机振荡器频率范围为0-24Mhz。理论上你可以选择0-24M的晶振，频率越高，精度越大，处理速度越快。

晶振选择看单片机的能力和你的需要，电路看晶振。单片机通常都会有一个最高工作频率要求，比如：Atmega48v（低功耗）最高8MHz，Atmega48a最高16Mhz，选择晶振时不要超过这个频率即可。

．通用晶体振荡器，用于各种电路中，产生振荡频率。2．时钟脉冲用石英晶体谐振器，与其它元件配合产生标准脉冲信号，广泛用于数字电路中。3．微处理器用石英晶体谐振器。4．CTVVTR用石英晶体谐振器。

-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影响不大，常用的4M和12M以及10592M和20M 24M都用的30P，单片机内部有相应的整形电路。

mos管的转移特性曲线（mos管转移特性曲线分析）

通过输出特性曲线和转移特性曲线来区分场效应管前，首先需要了解一个概念，场效应管是压控型器件，它区别于双极型晶体管（流控型器件），场效应管工作时栅极一般只需要一个电压就可以，电流很小或者为零。

静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

很简单，看转移特性曲线所分布的象限即可。如果是增强型管子，曲线的全部都集中在一个象限中，P沟道全部在第三象限，N沟道在第一象限。

你需要注意的是学会看两个图，一个是转移特性曲线，还有一个是输出特性曲线。

打个通俗的比方：你在海上捕猎，耗尽型MOS管的特性是：在水里游但跳不过海面3米（假设海面为地电平=0），于是你逮它的时候可以在海面、海面下以及海面以上3米的范围内。

很简单，看转移特性曲线所分布的象限即可。如果是增强型管子，曲线的全部都集中在一个象限中，P沟道全部在第三象限，N沟道在第一象限。

箭头指向G极的就是N沟道。箭头背向G极的就是P沟道。3）寄生二极管方向 N沟道，由S极指向D极。P沟道，由D极指向S极。MOS管导通条件 N沟道：UgUs时导通。（简单认为）Ug=Us时截止。P沟道：UgUs时导通。

说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N 沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。

指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。

MOS场效应管分J型，增强型，耗尽型。一般来说N沟道是导电沟道是N型半导体，P沟道是P型半导体，然后再区分栅极压降是要正开启还是负开启。mos场效应管在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有极高的输入电阻。