光耦驱动mos管（光耦驱动mos管电路图PWM）

发布时间：2023-08-01

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1、移相全桥控制电路，PWM控制芯片为Ti公司的UCC3895DW，在UCC3895的驱动信号输出端分别接了两个IR公司的IR2113S MOS驱动芯片来精确控制四个开关管的开关，电路清晰规整，焊接质量很高，值得入手。

2、ir2113s引脚图：IR2113s由低端功率晶体管驱动级、高端功率晶体管驱动级、电平转换器、输入逻辑电路组成。它把驱动一高压侧和一低压侧MOSFET或IGBT所需要的绝大部分功能集成在芯片内。

3、Top系列：Top223-Top228三脚可以驱动外部场效应管，Top244-Top258六脚（这个本身已经内置场效应管）。TNY系列，三脚小功率。Viper12A，viper22A，八脚小功率-内置场效应管。

4、在功率变换装置中，根据主电路的结构，功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。

5、电容没什么问题容量也差不多滤波电容C26 C28用1UF的好些C27是自举电容根据频率定10UF差不多。另外这是局部图现在看电路接的好像不对二极管是要给C27充电的，再仔细看下。电容用独石的就行。

6、这人芯片特点，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出信16引脚SOIC内尔斯。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使14引脚PDIP。IR2110S坚固耐用的单片式结构。

光耦驱动mos管（光耦驱动mos管电路图PWM）

光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。

光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。

低压的时候灯泡里面有啸叫，一般是内部驱动电源上的电感（或者变压器）发出的。电压过低的时候，信号的周期频率接近或落入音频范围。周期性电流经过电感线圈，产生交变磁场，该电感线圈在交变磁场作用下产生振动而发出声音。

MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。

如果本来就共地没必要隔离；如果你是PWM调制信号还是用隔离变压器好，通过专门的驱动IC(我忘了，好像是IRF做的)驱动变压器，时间匹配是最好的。

IRFZ24N是绝缘栅型N沟道场效应管，顾名思义，g栅极与其它各电极是绝缘的，只要电压，不需电流。只要电压大于开启电压，就能导通，显然12v应该大于它的导通电压了。

1、只要电压大于开启电压，就能导通，显然12v应该大于它的导通电压了。可以在R3后用一个电阻接地（分压），使光耦未导通时g栅极电压Ugs小于IRFZ24N的开启电压。。这个接地电阻即所谓的“下拉电阻”，下拉到地，确保截止。

2、串联电阻不需要计算，取一个大点的数值就可以，因为场效应管输入阻抗很高。也许3V电压太低，不能使场效应管开启。解决方案：（1）在P0到电源之间接一个5K的上拉电阻，看看行不行。

3、两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。向左转|向右转场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。

4、，40A整流开销不小设压降为5V功耗将达5×40×2达一佰多瓦 3，若用交流可控硅功耗为5×40为60瓦左右并无需整流，若改用光耦驱动电路处理更简洁安全。以上电路若电源可高些可大大降低器件负担。