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MOS管的驱动电压一般较低,我了解的大多数在10VDC以下吧,当然和你的型号有关,你可以下载其规格书看看。低压MOS一般5Vdc导通的。
指的是开启电压,最小0.6V,最大2V。就是这个型号的管子的开启电压(GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通,这个电压就是开启电压)从0.6到2V之间,每个管子都有所不同,这是制造时的离散性造成的。
VGS=3V,电流在8A左右,如果VDS为5V,那负载超过0.625R时就会饱和(8A*0.625R=5V)。而此时如果电阻只有0.1R,那电流需要50A才能饱和,那VSG就需要约4V才行。
是的,G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
mos管的作用如下:MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压,电机调速等方面。
MOS管作用:用途广泛,包括电视机高频头(高频,小电流)到开关电源(高压大电流),现在把MOS和双极型(普通三极管)复合在一起(IGBT,绝缘栅双极型晶体管),广泛应用于大功率领域。
MOS管的主要作用是放大电信号,用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应,即当PN结处于反向偏置状态时,其电阻非常大,电流几乎为零。
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1、mos管中G代表栅极,S代表源极。电压是相对的,所以Vgs是栅极相对于源极的电压。
2、Vgs是负压是PMOS类型的管子。Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样,导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区,临界饱和点和饱和区。当然,不论NMOS还是PMOS,当未形成反型沟道时,都处于截止区。
3、Vgs就是栅极对源极的电压,如果源极直接接地,栅极电压就等于Vgs。
4、Vds是MOS的漏极电压,Vgs是栅极电压,也称为阀值电压开启电压,是导通MOS管的一个值。
Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样,导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区,临界饱和点和饱和区。
亲,对于NMOS,bulk衬底端B跟S通常都连接到一起接地。这是为了防止BS之间的二极管正向导通。另外你说的也没错,阈值电压VT的确受SB间的电压影响,V_SB越高,VT越大。
场效应管,有很多分类,也称为单极型晶体管。场效应管具有如下特点。(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);(2)场效应管的控制输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。
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